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1. (US20070085114) Photodetector having a near field concentration

Office : États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande : 10582796 Date de la demande : 07.12.2004
Numéro de publication : 20070085114 Date de publication : 19.04.2007
Numéro de délivrance : 7622703 Date de délivrance : 24.11.2009
Type de publication : B2
Référence PCT: Numéro de la demande :EP04053324 ; Numéro de publication : Cliquer pour voir les données
CIB :
H01L 29/06
H01L 31/0236
H01L 31/0352
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0236
Textures de surface particulières
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0352
caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
Déposants : Thales
Inventeurs : De Rossi Alfredo
Carras Mathieu
Bois Philippe
Mandataires : Lowe Hauptman Ham & Berner, LLP
Données relatives à la priorité : 03014717 16.12.2003 FR
Titre : (EN) Photodetector having a near field concentration
Abrégé : front page image
(EN)

The field of the invention is that of photodetectors (10), and more precisely so-called quantum well photodetectors operating in the medium infrared, known by the acronym QWIP standing for Quantum Well Infrared Photodetector.

It is an object of the invention to increase the detectivity of the detectors by significantly reducing the surface area of the detection zone while conserving the incident flux. This result is obtained by arranging a structure (4) or grating on the active zone (31) of the photodetector (10), which couples the incident wave and confines it on the active zone (31).

The major features of this structure (4) or this grating are that it comprises patterns or grooves having a first spatial frequency and a second spatial frequency, and also comprising a central defect.


Également publié sous:
EP1695390WO/2005/069385