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Paramétrages

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1. US5827099 - Use of early formed lift-off layer in fabricating gated electron-emitting devices

Office
États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande 08568885
Date de la demande 07.12.1995
Numéro de publication 5827099
Date de publication 27.10.1998
Numéro de délivrance 5827099
Date de délivrance 27.10.1998
Type de publication A
CIB
H01J 9/02
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
9Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de tubes à décharge électrique, de lampes à décharge électrique ou de leurs composants; Récupération de matériaux à partir de tubes ou de lampes à décharge
02Fabrication des électrodes ou des systèmes d'électrodes
H01J 1/30
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
1Détails des électrodes, des moyens de commande magnétiques, des écrans, ou du montage ou de l'espacement de ces éléments, communs au moins à deux types de base de tubes ou lampes à décharge
02Electrodes principales
30Cathodes froides
H01J 1/304
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
1Détails des électrodes, des moyens de commande magnétiques, des écrans, ou du montage ou de l'espacement de ces éléments, communs au moins à deux types de base de tubes ou lampes à décharge
02Electrodes principales
30Cathodes froides
304Cathodes à émission d'électrons de champ
H01J 3/00
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
3Détails des dispositifs électronoptiques ou ionoptiques ou des pièges à ions, communs au moins à deux types de base de tubes ou de lampes à décharge
H01J 3/02
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
3Détails des dispositifs électronoptiques ou ionoptiques ou des pièges à ions, communs au moins à deux types de base de tubes ou de lampes à décharge
02Canons à électrons
H01J 29/04
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
29Détails des tubes à rayons cathodiques ou des tubes à faisceau électronique des types couverts par le groupe H01J31/137
02Electrodes; Ecrans; Montage, supports, espacements ou isolement de ces éléments
04Cathodes
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
H01J 1/3042
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
1Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
02Main electrodes
30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
304Field-emissive cathodes
3042microengineered, e.g. Spindt-type
H01J 3/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
3Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
02Electron guns
021Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
022with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
H01J 9/025
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
9Apparatus or processes specially adapted for the manufacture ; , installation, removal, maintenance; of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
02Manufacture of electrodes or electrode systems
022of cold cathodes
025of field emission cathodes
H01J 2201/30403
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2201Electrodes common to discharge tubes
30Cold cathodes
304Field emission cathodes
30403characterised by the emitter shape
H01J 2201/30457
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2201Electrodes common to discharge tubes
30Cold cathodes
304Field emission cathodes
30446characterised by the emitter material
30453Carbon types
30457Diamond
Déposants Candescent Technologies Corporation
Inventeurs Spindt Christopher J.
Macaulay John M.
Duboc Robert M.
Searson Peter C.
Mandataires Skjerven, Morrill, MacPherson, Franklin & Friel LLP
Meetin Ronald J.
Titre
(EN) Use of early formed lift-off layer in fabricating gated electron-emitting devices
Abrégé
(EN)

Gated electron emitters are fabricated by processes in which charged particles are passed through a track layer (24, 48, or 144) to form charged-particle tracks (26.sub.1, 50.sub.1, or 146.sub.1). The track layer is etched along the tracks to create open spaces (28.sub.1, 52.sub.1, or 148.sub.1). Electron-emissive elements (30 or 142D) can then be formed at locations respectively centered on the open spaces after which a patterned gate layer (34B, 40B, or 158C) is provided. Alternatively, the open spaces in the track layer can be employed to etch corresponding apertures (54.sub.1) through an underlying non-insulating layer (46) which typically serves as the gate layer. An etch is performed through the apertures to form dielectric open spaces (56.sub.1, 96.sub.1, or 114.sub.1) in an insulating layer (24) that lies below the non-insulating layer. Electron-emissive elements (30B, 30/88D.sub.1, 98/102.sub.1, or 118.sub.1) can subsequently be provided, typically in the dielectric open spaces.