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1. (US20170092805) Squared-off semiconductor coatings for quantum dots (QDs)

Office : États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande : 15311839 Date de la demande : 14.05.2015
Numéro de publication : 20170092805 Date de publication : 30.03.2017
Numéro de délivrance : 10186631 Date de délivrance : 22.01.2019
Type de publication : B2
Demande PCT antérieure: Numéro de la demande: PCTUS2015030822; Numéro de publication: Cliquez pour voir les données
CIB :
H01L 29/06
H01L 33/06
H01L 33/50
C09K 11/02
C09K 11/56
C09K 11/88
B82Y 20/00
B82Y 40/00
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
04
ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06
au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
02
Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
56
contenant du soufre
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
88
contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
20
Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
40
Fabrication ou traitement des nanostructures
CPC :
B82Y 20/00
B82Y 40/00
C09K 11/02
C09K 11/025
C09K 11/56
C09K 11/883
H01L 33/06
H01L 33/505
Y10S 977/744
Y10S 977/89
Y10S 977/95
Déposants : Pacific Light Technologies Corp.
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Inventeurs : Matthew J. Carillo
Steven Hughes
Mandataires : Elliott, Ostrander & Preston, P.C.
Données relatives à la priorité :
Titre : (EN) Squared-off semiconductor coatings for quantum dots (QDs)
Abrégé : front page image
(EN)

Squared-off semiconductor coatings for quantum dots (QDs) and the resulting quantum dot materials are described. In an example, a semiconductor structure includes a quantum dot structure having an outermost surface. A crystalline semiconductor coating is disposed on and completely surrounds the outermost surface of the quantum dot structure. The crystalline semiconductor coating has a geometry with squared-off ends.


Also published as:
EP3143646WO/2015/175800