Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. SG69446 - IMPROVED DEPOSITION OF TUNGSTEN NITRIDE USING PLASMA PRETREATMENT IN A CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER

Office
Singapour
Numéro de la demande 1999057473
Date de la demande 26.06.1998
Numéro de publication 69446
Date de publication 25.01.2000
Numéro de délivrance
Date de délivrance 22.02.2002
Type de publication A
CIB
H05H 1/24
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
C23C 16/24
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
24Dépôt uniquement de silicium
Déposants APPLIED MATERIALS, INC.
Inventeurs CHEN, LING
GANGULI, SESHADRI
MAK, ALFRED
Données relatives à la priorité 08884811 30.06.1997 US
09067429 27.04.1998 US
Titre
(EN) IMPROVED DEPOSITION OF TUNGSTEN NITRIDE USING PLASMA PRETREATMENT IN A CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER
Documents de brevet associés