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Paramétrages

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1. KR1020020081442 - METHOD FOR FABRICATING SILICON SINGLE CRYSTAL

Office
République de Corée
Numéro de la demande 1020027011975
Date de la demande 12.09.2002
Numéro de publication 1020020081442
Date de publication 26.10.2002
Numéro de délivrance 1006391770000
Date de délivrance 27.10.2006
Type de publication B1
CIB
C30B 15/00
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
Déposants SUMCO CORPORATION
NEC CORPORATION
미츠비시 스미토모 실리콘 주식회사
닛본 덴기 가부시끼가이샤
Inventeurs KANDA TADASHI
칸다타다시
KURAGAKI SHUNJI
쿠라가키순지
WATANABE MASAHITO
와타나베마사히토
EGUCHI MINORU
에구치미노루
Mandataires 특허법인 원전
Données relatives à la priorité 2001039556 16.02.2001 JP
Titre
(EN) METHOD FOR FABRICATING SILICON SINGLE CRYSTAL
(KO) 실리콘 단결정의 제조방법
Abrégé
(EN)

A silicon single crystal fabricating method in which a silicon single crystal is grown while adjusting the pulling rate in the single crystal growing process, under the condition that the external diameter of the latent region where an oxidation- induced stacking faults (OSF) caused in the crystal plane is within a range of 70 to 80 % of the crystal diameter, by the EMCZ method, i.e., a CZ method in which a magnetic field is applied to the silicon melt and an electric current having a component normal to the magnetic field is applied to the silicon melt. According to this silicon single crystal fabricating method, a silicon single crystal having excellent device characteristics such as the oxide film breakdown voltage characteristic can be fabricated without forming any COP of a size no less than 0.1μm and any dislocation cluster in the crystal plane. Moreover, the silicon single crystal can be fabricated with an excellent productivity under a growth condition over a wide allowable range of the pulling rate, so that it can be applied to semiconductor devices widely.

© KIPO & WIPO 2007


(KO) 본 발명은, 실리콘 용융액에 자계를 인가하고, 상기 자계와 직교하는 성분을 함유하는 전류를 실리콘 용융액에 인가하는 CZ법, 즉, EMCZ법을 사용하여, 단결정의 육성과정에 있어서 인상속도를 조정하여, 결정면 내에 나타나는 산화유기 적층결함(OSF)의 잠재영역의 외경이 결정직경의 70% ∼ 0%의 범위가 되는 조건에서 육성하는 실리콘 단결정의 제조방법이다. 본 발명의 실리콘 단결정의 제조방법에 의하면, 결정면 내에 0.1㎛ 크기 이상의 COP나 전위 클러스터를 형성시키는 경우 없이, 산화막 내압특성 등의 디바이스 특성이 우수한 실리콘 단결정을 제조할 수 있다. 또한, 이들의 실리콘 단결정을 생산성 좋고, 인상속도의 허용범위가 넓은 육성조건에서 제조할 수 있으므로, 반도체 디바이스용으로서 광범위하게 이용할 수 있다.
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