(EN) A silicon single crystal fabricating method in which a silicon single crystal is grown while adjusting the pulling rate in the single crystal growing process, under the condition that the external diameter of the latent region where an oxidation- induced stacking faults (OSF) caused in the crystal plane is within a range of 70 to 80 % of the crystal diameter, by the EMCZ method, i.e., a CZ method in which a magnetic field is applied to the silicon melt and an electric current having a component normal to the magnetic field is applied to the silicon melt. According to this silicon single crystal fabricating method, a silicon single crystal having excellent device characteristics such as the oxide film breakdown voltage characteristic can be fabricated without forming any COP of a size no less than 0.1μm and any dislocation cluster in the crystal plane. Moreover, the silicon single crystal can be fabricated with an excellent productivity under a growth condition over a wide allowable range of the pulling rate, so that it can be applied to semiconductor devices widely.
© KIPO & WIPO 2007
(KO) 본 발명은, 실리콘 용융액에 자계를 인가하고, 상기 자계와 직교하는 성분을 함유하는 전류를 실리콘 용융액에 인가하는 CZ법, 즉, EMCZ법을 사용하여, 단결정의 육성과정에 있어서 인상속도를 조정하여, 결정면 내에 나타나는 산화유기 적층결함(OSF)의 잠재영역의 외경이 결정직경의 70% ∼ 0%의 범위가 되는 조건에서 육성하는 실리콘 단결정의 제조방법이다. 본 발명의 실리콘 단결정의 제조방법에 의하면, 결정면 내에 0.1㎛ 크기 이상의 COP나 전위 클러스터를 형성시키는 경우 없이, 산화막 내압특성 등의 디바이스 특성이 우수한 실리콘 단결정을 제조할 수 있다. 또한, 이들의 실리콘 단결정을 생산성 좋고, 인상속도의 허용범위가 넓은 육성조건에서 제조할 수 있으므로, 반도체 디바이스용으로서 광범위하게 이용할 수 있다.
