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1. KR1020080080142 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Office
République de Corée
Numéro de la demande 1020087015396
Date de la demande 25.06.2008
Numéro de publication 1020080080142
Date de publication 02.09.2008
Numéro de délivrance 1010034460000
Date de délivrance 28.12.2010
Type de publication B1
CIB
H01L 21/324
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
H01L 21/02
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
Inventeurs UENO MASAAKI
SHIMADA MASAKAZU
HANASHIMA TAKEO
MORIKAWA HARUO
HAYASHIDA AKIRA
Données relatives à la priorité 2006 2006061318 07.03.2006 JP
Titre
(EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
Abrégé
(EN)
A substrate processing apparatus is provided with a process chamber for processing a substrate; a heating apparatus for optically heating the substrate stored in the process chamber from the outer circumference side of the substrate; a cooling apparatus for cooling the outer circumference side of the substrate by flowing a fluid in the vicinity of the outer circumference of the substrate to be optically heated by the heating apparatus; a temperature detecting section for detecting the temperature in the processing chamber; and a heating control section for controlling the heating apparatus and the cooling apparatus to have a temperature difference between the center portion and the end portion of the substrate by maintaining the temperature at the center portion of the substrate at a prescribed temperature, based on the temperature detected by the temperature detecting section. ©KIPO&WIPO 2008