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1. KR1020080004450 - METHOD FOR PURIFICATION OF DISILICON HEXACHLORIDE AND HIGH PURITY DISILICON HEXACHLORIDE

Office République de Corée
Numéro de la demande 1020077016388
Date de la demande 18.07.2007
Numéro de publication 1020080004450
Date de publication 09.01.2008
Numéro de délivrance 1013070740000
Date de délivrance 11.09.2013
Type de publication B1
CIB
C01B 33/107
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33Silicium; Ses composés
08Composés halogénés
107Silanes halogénés
C01B 33/037
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33Silicium; Ses composés
02Silicium
037Purification
Déposants TOAGOSEI CO., LTD.
도아고세이가부시키가이샤
Inventeurs ISHIKAWA KOJI
이시카와, 코지
SUZUKI HIROSHI
스즈키, 히로시
KIMATA YOSHINORI
키마타, 요시노리
Mandataires 장수길
Données relatives à la priorité JP-P-2005-00111438 07.04.2005 JP
Titre
(EN) METHOD FOR PURIFICATION OF DISILICON HEXACHLORIDE AND HIGH PURITY DISILICON HEXACHLORIDE
(KO) 육염화 이규소의 정제 방법 및 고순도 육염화 이규소
Abrégé
(EN)
The purpose is to provide is a method for removing silanol with good efficiency from a raw material of disilicon hexachloride containing silanol as an impurity, to thereby prepare a high purity disilicon hexachloride. A method for purifying disilicon hexachloride including a step of contacting a raw material of disilicon hexachloride containing disilicon hexachloride and silanol as an impurity with an adsorbing material such as an activated carbon, to remove the silanol. The method may further includes a distillation step. It is preferred that the above steps are carried out in an atmosphere of an inert gas. ©KIPO&WIPO 2008

(KO)
본 발명의 목적은, 불순물로서 실라놀을 포함하는 육염화 이규소 원료로부터 실라놀을 효율적으로 제거하여, 고순도의 육염화 이규소를 얻는 방법을 제공하는 것에 있다. 본 발명의 육염화 이규소의 제조 방법은 육염화 이규소와, 불순물로서의 실라놀을 포함하는 육염화 이규소 원료를 활성탄 등의 흡착재와 접촉시켜, 실라놀을 제거하는 공정을 구비한다. 또한, 증류하는 공정을 구비할 수도 있다. 상기 각 공정은, 불활성 가스 분위기하에 행하는 것이 바람직하다.