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1. (KR1020180122600) 플라스마 처리 방법

Office : République de Corée
Numéro de la demande : 1020187021993 Date de la demande : 19.03.2018
Numéro de publication : 1020180122600 Date de publication : 13.11.2018
Type de publication : A
Demande PCT antérieure: Numéro de la demande: ; Numéro de publication: WO2018180663 Cliquez pour voir les données
CIB :
H01L 21/3065
H01L 21/304
H01L 21/311
H01L 21/3213
H05H 1/46
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105
Post-traitement
311
Gravure des couches isolantes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321
Post-traitement
3213
Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
46
utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
Déposants : 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
Inventeurs : 히로타 고사
스미야 마사히로
나카우네 고이치
다마리 나나코
이노우에 사토미
나카모토 시게루
Mandataires : 문두현
Données relatives à la priorité : JP-P-2017-060353 27.03.2017 JP
Titre : (KO) 플라스마 처리 방법
Abrégé : front page image
(KO) 본 발명의 목적은 반도체 기판 등의 웨이퍼를 플라스마 에칭하는 플라스마 처리 방법에 있어서, 웨이퍼의 에칭 처리에 의해 처리실 내에 퇴적하는 금속과 비금속의 복합 퇴적물을 제거하고, 퇴적물에 의한 이물의 발생을 저감할 수 있는 플라스마 처리 방법을 제공한다. 본 발명은 처리실 내에서 시료를 플라스마 에칭하여 상기 처리실 내를 플라스마 클리닝하는 플라스마 처리 방법에 있어서, 상기 시료를 소정 매수 플라스마 에칭하는 에칭 공정과, 상기 에칭 공정 후, 플라스마를 이용하여 금속 원소를 함유하는 퇴적막을 제거하는 금속 제거 공정과, 상기 금속 제거 공정의 플라스마와 상이한 플라스마를 이용하여 비금속 원소를 함유하는 퇴적막을 제거하는 비금속 제거 공정을 갖고, 상기 금속 제거 공정과 상기 비금속 제거 공정을 2회 이상 반복하는 것을 특징으로 한다.
Also published as:
WO/2018/180663