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1. (KR1020180022835) RRAM 디바이스들에서의 필라멘트 국소화, 에지 효과 감소, 및 형성/스위칭 전압 감소를 위한 기법들

Office : République de Corée
Numéro de la demande : 1020187002084 Date de la demande : 27.06.2016
Numéro de publication : 1020180022835 Date de publication : 06.03.2018
Type de publication : A
Référence PCT: Numéro de la demande : ; Numéro de publication :WO2017003959 Cliquer pour voir les données
CIB :
H01L 45/00
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants : 인텔 코포레이션
Inventeurs : 필라리세티, 라비
마지, 프라산트
샤, 우다이
무커지, 닐로이
카르포프, 엘리야
도일, 브라이언
차우, 로버트
Mandataires : 양영준
김연송
백만기
Données relatives à la priorité : 14/752,934 27.06.2015 US
Titre : (KO) RRAM 디바이스들에서의 필라멘트 국소화, 에지 효과 감소, 및 형성/스위칭 전압 감소를 위한 기법들
Abrégé : front page image
(KO) 본 개시내용은 저항성 랜덤 액세스 메모리(RRAM) 디바이스를 형성하는 시스템 및 방법을 제공한다. 본 개시내용과 부합하는 RRAM 디바이스는 기판 및 그 상에 배치된 제1 전극을 포함한다. RRAM 디바이스는 제1 전극 상부에 배치된 제2 전극, 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 RRAM 유전체 층을 포함한다. RRAM 유전체 층은 제2 전극과 RRAM 유전체 층 사이의 계면에서의 최상부 중심 부분에서 리세스를 가진다.
Également publié sous:
CN107636822EP3320556WO/2017/003959