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1. (KR1020180014437) 정전기 척을 위한 열 실드

Office : République de Corée
Numéro de la demande : 1020187002442 Date de la demande : 06.06.2016
Numéro de publication : 1020180014437 Date de publication : 08.02.2018
Type de publication : A
Référence PCT: Numéro de la demande : ; Numéro de publication :WO2017003646 Cliquer pour voir les données
CIB :
H01L 21/683
H01L 21/02
H01L 21/324
H01L 21/67
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324
Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Déposants : 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
Inventeurs : 스톤, 데일 케이.
치프만, 데이비드 제이.
Mandataires : 특허법인에이아이피
Données relatives à la priorité : 62/186,068 29.06.2015 US
Titre : (KO) 정전기 척을 위한 열 실드
Abrégé : front page image
(KO) 가열된 정전기 척과 베이스 사이에 배치될 수 있는 열 실드가 개시된다. 본 열 실드는 1 과 5 mils 사이의 두께를 갖는 열 절연체, 예컨대 폴리이미드 재료를 포함한다. 폴리이미드 필름은 반사 재료의 층, 예컨대 알루미늄이 일 측면상에 코팅된다. 반사 재료의 층은 30 과 100 나노미터 사이일 수 있다. 반사 재료의 층이 척에 더 가깝도록 열 실드가 배치된다. 반사 재료의 층의 두께 때문에, 열 실드는 상당한 열의 양을 보유하지 않는다. 더구나, 열 실드의 온도는 폴리이미드 필름의 유리 전이 온도 훨씬 아래에 있다.
Également publié sous:
CN107810548JP2018525812WO/2017/003646