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1. (KR1020170005005) 어드밴스드 금속 패터닝을 갖는 고밀도 정적 랜덤 액세스 메모리 어레이

Office : République de Corée
Numéro de la demande : 1020167031716 Date de la demande : 20.04.2015
Numéro de publication : 1020170005005 Date de publication : 11.01.2017
Type de publication : A
Demande PCT antérieure: Numéro de la demande: ; Numéro de publication: WO2015179050 Cliquez pour voir les données
CIB :
H01L 27/11
H01L 27/02
H01L 29/161
H01L 29/40
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
11
Structures de mémoires statiques à accès aléatoire
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
16
comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du quatrième groupe de la classification périodique, sous forme non combinée
161
comprenant plusieurs des éléments prévus en H01L29/1672
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
CPC :
H01L 29/401
H01L 27/0207
H01L 27/1104
H01L 29/161
Déposants : 퀄컴 인코포레이티드
Inventeurs : 모줌더, 닐라드리
송, 스탠리 승철
왕, 총제
옙, 초 페이
Mandataires : 특허법인 남앤드남
Données relatives à la priorité : 14/281,710 19.05.2014 US
Titre : (KO) 어드밴스드 금속 패터닝을 갖는 고밀도 정적 랜덤 액세스 메모리 어레이
Abrégé : front page image
(KO) 어드밴스드 금속 패터닝을 갖는 고밀도 SRAM(static random access memory) 어레이에 관한 방법들 및 장치가 제공된다. 일 예에서, SRAM을 제조하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, SADP(self-aligning double patterning) 기술을 이용하여, 제 1 층에서 제 1 방향으로 배향되는 복수의 실질적으로 평행한 제 1 금속 라인들을 형성하는 단계를 포함한다. 방법은 또한, 실질적으로 평행한 제 1 금속 라인들을 제 1 방향으로 정렬되는 제 1 개별 면들 및 제 2 방향으로 정렬되는 제 2 개별 면들을 갖는 복수의 아일랜드들로 분리시키기 위해서, 컷트 마스크를 이용하여, 제 1 방향에 실질적으로 수직하는 제 2 방향으로, 실질적으로 평행한 제 1 금속 라인들을 에칭하는 단계를 포함한다. 방법은 또한, 제 2 층에서, 제 1 방향으로 배향된 복수의 제 2 금속 라인들을 형성하는 단계를 포함한다.
Also published as:
CN106463502EP3146564JP2017516313IN201627035579WO/2015/179050