Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (KR1020170032430) 반도체 디바이스 및 그 제조 방법

Office : République de Corée
Numéro de la demande : 1020177004484 Date de la demande : 05.02.2016
Numéro de publication : 1020170032430 Date de publication : 22.03.2017
Type de publication : A
Référence PCT: Numéro de la demande : ; Numéro de publication :WO2017002384 Cliquer pour voir les données
CIB :
H01L 29/786
C23C 14/58
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
58
Post-traitement
Déposants : 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventeurs : 미야나가 미키
와타타니 겐이치
아와타 히데아키
Mandataires : 김태홍
김진회
Données relatives à la priorité : JP-P-2015-133717 02.07.2015 JP
Titre : (KO) 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
Abrégé : front page image
(KO) 게이트 전극(2)과, 게이트 전극(2)의 직하 영역 또는 직상 영역에 배치되는 채널층(7)과, 채널층(7)에 접하여 배치되는 소스 전극(5) 및 드레인 전극(6)과, 게이트 전극(2)과 채널층(7) 사이에 배치되는 제1 절연층(3)을 포함하며, 채널층(7)은 제1 산화물 반도체를 포함하고, 소스 전극(5) 및 드레인 전극(6) 중 적어도 한쪽은 제2 산화물 반도체를 포함하며, 제1 산화물 반도체 및 제2 산화물 반도체는, 인듐, 텅스텐 및 아연을 함유하는 반도체 디바이스와 그 제조 방법이 제공된다.
Également publié sous:
EP3159918CN106796888US20170222058WO/2017/002384