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1. KR1020140129170 - 저항 변화형 기억 장치

Office
République de Corée
Numéro de la demande 1020147025613
Date de la demande 12.03.2013
Numéro de publication 1020140129170
Date de publication 06.11.2014
Numéro de délivrance 1016130330000
Date de délivrance 15.04.2016
Type de publication B1
CIB
H01L 27/105
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
H01L 45/00
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 49/00
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 27/105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
Déposants 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸
도시바 마테리알 가부시키가이샤
Inventeurs 가쿠시마 구니유키
도우 츈멩
아흐메트 파르해트
이와이 히로시
가타오카 요시노리
Mandataires 장수길
이중희
Données relatives à la priorité JP-P-2012-057871 14.03.2012 JP
Titre
(KO) 저항 변화형 기억 장치
Abrégé
(KO) 온/오프비가 높은 저항 변화형 기억 장치를 제공할 수 있다. 실시 형태에 따른 저항 변화형 기억 장치는, 제1 원소를 함유하는 제1 전극과, 상기 제1 전극 위에 구비되고, 상기 제1 원소의 산화물을 함유하는 저항 변화층과, 상기 저항 변화층 위에 구비되고, 제2 원소 및 산소를 함유하고, 산소 이온 전도성을 갖고, 비유전율이 상기 저항 변화층의 비유전율보다 높은 산소 전도층과, 상기 산소 전도층 위에 구비된 제2 전극을 구비한다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 전압을 제로로부터 연속적으로 증가시킬 때, 상기 산소 전도층보다 먼저 상기 저항 변화층이 절연 파괴된다.