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1. JP2021057408 - 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置

Office
Japon
Numéro de la demande 2019177597
Date de la demande 27.09.2019
Numéro de publication 2021057408
Date de publication 08.04.2021
Type de publication A
CPC
H01L 23/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
H01L 33/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
H01S 5/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
Déposants DOWAエレクトロニクス株式会社
Inventeurs 丸山 司
新木 隆司
宮地 岳広
Mandataires 杉村 憲司
杉村 光嗣
福井 敏夫
Titre
(JA) 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置
Abrégé
(JA)

【課題】本発明は、高温動作において、光半導体チップが長期信頼性を維持する光半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、セラミックスからなるパッケージ基板3上に光半導体チップ2を設置するマウント工程と、マウント工程後のパッケージ基板3を第1乾燥雰囲気下で保管する保管工程と、保管工程後の前記パッケージ基板上の光半導体チップ2の周囲を第2乾燥雰囲気下とし、パッケージ基板の接合部5に、接合材を介して透光性窓材4を載せる載置工程と、酸素濃度1vol%以下の低酸素濃度雰囲気において接合材により接合部5及び透光性窓材4を接合することで、パッケージ基板3及び透光性窓材4により形成される閉鎖空間1内に光半導体チップ2を封入する封止工程と、を有し、封止工程後における、閉鎖空間1の水分濃度を1000ppm以下、酸素濃度を3vol%以下とする、光半導体装置の製造方法。
【選択図】図3

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