Veuillez attendre...
L'équipe PATENTSCOPE est soucieuse de développer cette nouvelle interface ! Dites-nous ce que vous en pensez et aidez-nous à fixer des priorités dans ce qui doit être amélioré et ce qui doit être ajouté en nous laissant un message ci-dessous.
真空を保持しながら単一のプラズマ化学気相堆積処理チャンバ内で基板上に異なる材料の層スタックが堆積される。基板が処理チャンバ内に配置され、第1の処理ガスを用いて、基板上に第1の材料の第1の層を形成する。プラズマパージ及びガスパージを実行した後に、第2の処理ガスを用いて、基板上に第2の材料の第2の層を形成する。プラズマパージ及びガスパージを繰り返し、層スタック上に第1の材料及び第2の材料の更なる層が堆積される。