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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar cell that can increase a nopen-circuit voltage without depending on the reduction of recombination in crystal silicon.
SOLUTION: The solar cell 10 includes a crystal Si layer 50 having p-n junction, and a semiconductor layer 60 formed on a first principal plane 50as of the crystal Si layer 50. The semiconductor layer 60 has the same conductivity type as the conductivity type of a portion in contact with the semiconductor layer 60 of the crystal Si layer 50. The open-circuit voltage in light irradiation to the solar cell 10 differs from a level difference between the quasi Fermi level of electrons and the quasi Fermi level of holes in the crystal Si layer 50.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
【課題】結晶シリコンにおける再結合の低減に依存せずに開放電圧を増大し得る太陽電池を提供する。【解決手段】、太陽電池10は、pn接合を有する結晶Si層50と、結晶Si層50の第1主面50as上に形成された半導体層60とを備える。半導体層60は、結晶Si層50の半導体層60と接触している部分の導電型と同じ導電型を有する。太陽電池10への光照射時の開放電圧は、結晶Si層50内における電子の擬フェルミ準位とホールの擬フェルミ準位との準位差と異なる。【選択図】図1