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1. JP2006510208 - 磁気抵抗性の多層デバイスおよびセンサエレメント

Office
Japon
Numéro de la demande 2004559586
Date de la demande 18.10.2003
Numéro de publication 2006510208
Date de publication 23.03.2006
Numéro de délivrance 4546835
Date de délivrance 09.07.2010
Type de publication B2
CIB
H01L 43/08
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
G01R 33/09
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09des dispositifs magnéto-résistifs
H01F 10/14
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
08caractérisées par les couches magnétiques
10caractérisées par la composition
12Métaux ou alliages
14contenant du fer ou du nickel
H01F 10/16
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
08caractérisées par les couches magnétiques
10caractérisées par la composition
12Métaux ou alliages
16contenant du cobalt
CPC
B82Y 25/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
25Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
G01R 33/093
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
093using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
Déposants ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Inventeurs マイク ラーベ
ヘンリク ジーグレ
Mandataires 矢野 敏雄
アインゼル・フェリックス=ラインハルト
ラインハルト・アインゼル
Données relatives à la priorité 10258860 17.12.2002 DE
Titre
(JA) 磁気抵抗性の多層デバイスおよびセンサエレメント
Abrégé
(JA)

本発明はGMR効果またはAMR効果に基づいて動作する磁気抵抗性スタック(14)の周囲にこれに作用する合成磁界を生じる積層体(15)が設けられている、磁気抵抗性の多層デバイス(5)に関する。積層体(15)は第1の磁性層(12)および第2の磁性層(13)を有しており、これら2つの層は非磁性の中間層(11)を介して相互に分離され、かつ相互に強磁性クロスカップリングされている。本発明はさらに磁界の強度および/または多層デバイス(5)に対する方向を検出するセンサエレメントに関する。