Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. JP2005504403 - メモリセルのためのバックグラウンド処理

Office
Japon
Numéro de la demande 2003529469
Date de la demande 17.09.2002
Numéro de publication 2005504403
Date de publication 10.02.2005
Numéro de délivrance 4451657
Date de délivrance 05.02.2010
Type de publication B2
CIB
G11C 16/06
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
G11C 16/02
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
G11C 16/04
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
04utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
CPC
G11C 16/0483
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0483comprising cells having several storage transistors connected in series
G11C 8/08
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
8Arrangements for selecting an address in a digital store
08Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
G11C 11/5628
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
5621using charge storage in a floating gate
5628Programming or writing circuits; Data input circuits
G11C 16/12
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
10Programming or data input circuits
12Programming voltage switching circuits
G11C 16/30
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
30Power supply circuits
G11C 2216/18
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2216Indexing scheme relating to G11C16/00 and subgroups, for features not directly covered by these groups
12Reading and writing aspects of erasable programmable read-only memories
18Flash erasure of all the cells in an array, sector or block simultaneously
Déposants サンディスク コーポレイション
Inventeurs セルニア,ラウル-エイドリアン
Mandataires 井ノ口 壽
Données relatives à la priorité 09956201 17.09.2001 US
Titre
(JA) メモリセルのためのバックグラウンド処理
Abrégé
(JA)

メモリセル(105)で処理(消去、プログラミングまたは読み出しなど)を実行する技術として、連続する動作電圧の代わりに、メモリセルのゲート(111,113)に対して動的に動作電圧を印加する技術がある。これによって、処理中の消費電力が減少する。バックグラウンド消去のような動的処理やバックグラウンド処理によって、選択したメモリセルが処理されている間、読み出し、プログラミング、消去のような別の処理の実行が可能となる。これによって、連続的処理と比較して、動的処理を用いる集積回路の処理速度の向上が図られる。バックグラウンド消去を行うための一実施形態では、電荷ポンプ(204、208)を用いて消去電圧まで消去ゲートが荷電される。次いで、ポンプのスイッチがオフにされ(212)、消去ゲートは動的に消去電圧(216)の状態のままとなる。消去ゲートにおける消去電圧は、メモリセルが完全に消去されるまで必要に応じて周期的にチェックされ、リフレッシュされる(224)。電荷ポンプがオフで、消去電圧が消去ゲートで動的に保持されている間、おそらく別のメモリセルでの別の処理の実行も可能となる(220)。