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1. (JP2009530852) ケース入長形光電池

Office : Japon
Numéro de la demande : 2009501465 Date de la demande : 16.03.2007
Numéro de publication : 2009530852 Date de publication : 27.08.2009
Type de publication : A5
CIB :
H01L 31/042
H01L 31/04
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
042
comprenant un panneau ou une matrice de cellules photovoltaïques, p.ex. des cellules solaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
Déposants : ソルインドラ,インコーポレーテッド
Inventeurs : ベンヤミン ブルレル
クフリスチアン エム.グロネト
ラトソン モラド
マルクス イー.ベクク
Mandataires : 石川 徹
Données relatives à la priorité : 11/378,847 18.03.2006 US
Titre : (JA) ケース入長形光電池
Abrégé :
(JA)

太陽電池と、円筒状太陽電池上に円周方向に配置された透明ケースとを含む太陽電池ユニットを提供する。太陽電池は、その少なくとも一部が硬質且つ非平面である基板を含む。背面電極が、前記基板上に円周方向に配置される。半導体接合層が、前記背面電極上に円周方向に配置される。透明導電層が、前記半導体接合上に円周方向に配置される。
【選択図】図1


Also published as:
KR1020080112313SG146096EP1999798CN101449386KR1020130101159MYPI 20083618
IN5587/CHENP/2008WO/2008/060315