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1. (JP2018525812) 静電チャックのための熱遮蔽

Office : Japon
Numéro de la demande : 2017566683 Date de la demande : 06.06.2016
Numéro de publication : 2018525812 Date de publication : 06.09.2018
Type de publication : A5
CIB :
H01L 21/683
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
Déposants : ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
Inventeurs : デール ケー ストーン
デイビッド ジェイ チップマン
Mandataires : 杉村 憲司
杉村 光嗣
石川 雅章
Données relatives à la priorité : 62/186,068 29.06.2015 US
Titre : (JA) 静電チャックのための熱遮蔽
Abrégé :
(JA)

加熱静電チャックとベースとの間に配置することができる熱遮蔽を開示する。該熱遮蔽は、1ミルと5ミルとの間の厚さを有するポリイミド膜などの熱絶縁体を備える。前記ポリイミド膜は、一面の上に、アルミ二ウムなどの反射材料の層で覆われる。前記反射材料の層は30ナノメートルと100ナノメートルとの間である。前記反射材料の層が、前記チャックに、より近くなるように、前記熱遮蔽は配置される。前記反射材料の層が薄いため、前記熱遮蔽は顕著な量の熱を保持しない。さらに、前記熱遮蔽の温度は前記ポリイミド膜のガラス転移温度よりはるかに低いままである。


Également publié sous:
KR1020180014437CN107810548WO/2017/003646