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1. (JP2017516313) 先進的金属パターニングを有する高密度スタティックランダムアクセスメモリアレイ

Office : Japon
Numéro de la demande : 2016567790 Date de la demande : 20.04.2015
Numéro de publication : 2017516313 Date de publication : 15.06.2017
Numéro de délivrance : 6625562 Date de délivrance : 06.12.2019
Type de publication : B2
CIB :
H01L 27/11
H01L 21/8244
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
11
Structures de mémoires statiques à accès aléatoire
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
8244
Structures de mémoires statiques à accès aléatoire (SRAM)
Déposants : クアルコム,インコーポレイテッド
Inventeurs : ニラドリ・モジュムダー
スタンリー・スンチュル・ソン
ジョンゼ・ワン
チョー・フェイ・イェプ
Mandataires : 村山 靖彦
黒田 晋平
Données relatives à la priorité : 14/281,710 19.05.2014 US
Titre : (JA) 先進的金属パターニングを有する高密度スタティックランダムアクセスメモリアレイ
Abrégé :
(JA)

先進的金属パターニングを有する高密度スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)アレイを対象とする方法および装置が提供される。一例では、SRAMを作製するための方法が提供される。本方法は、自己整合ダブルパターニング(SADP)技法を使用して、第1の層において第1の方向に向けられた複数のほぼ平行の第1の金属線を形成するステップを含む。本方法はまた、第1の方向にほぼ直角の第2の方向で、カットマスクを使用して、ほぼ平行の第1の金属線をエッチングして、ほぼ平行の第1の金属線を、第1の方向において整合する第1のそれぞれの側面および第2の方向において整合する第2のそれぞれの側面を有する複数の島に分離するステップを含む。本方法はまた、第2の層において、第1の方向に向けられた複数の第2の金属線を形成するステップを含む。


Also published as:
CN106463502EP3146564KR1020170005005IN201627035579WO/2015/179050