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1. (IN887/KOLNP/2010) INPUT CIRCUITRY FOR TRANSISTOR POWER AMPLIFIER AND METHOD FOR DESIGNING SUCH CIRCUITRY

Office : Inde
Numéro de la demande : 887/KOLNP/2010 Date de la demande : 09.03.2010
Numéro de publication : 887/KOLNP/2010 Date de publication : 18.06.2010
Numéro de délivrance : 309588 Date de délivrance : 20.03.2019
Type de publication : B
Référence PCT: Numéro de la demande :PCTUS2008070622 ; Numéro de publication :PCTUS2008070622 Cliquer pour voir les données
CIB :
H03F 1/56
H03F 3/19
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
56
Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189
Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
Déposants : RAYTHEON COMPANY
Inventeurs : TREMBLAY, JOHN, C.
WHELAN, COLIN S.
Données relatives à la priorité : 11/851,425 07.09.2007 US
Titre : (EN) INPUT CIRCUITRY FOR TRANSISTOR POWER AMPLIFIER AND METHOD FOR DESIGNING SUCH CIRCUITRY
Abrégé :
(EN) A circuit having: an input matching network, a transistor (14) coupled to an output of the input matching network;and wherein the input matching network (12) has a first input impedance when such input matching network (12) is fed with an inputsignal having a relatively low power level and wherein the input matching network (12) has an input impedance different from thefirst input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively high power level.
Également publié sous:
KR1020100063767EP2203974CN101796720WO/2009/035767