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1. EP2581357 - CIRCUIT IMPRIMÉ COMPRENANT UN SUBSTRAT DE NITRURE D'ALUMINIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION

Office
Office européen des brevets (OEB)
Numéro de la demande 11792276
Date de la demande 24.05.2011
Numéro de publication 2581357
Date de publication 17.04.2013
Type de publication B1
CIB
C04B 35/581
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
04CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
BCHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
515à base de non oxydes
58à base de borures, nitrures ou siliciures
581à base de nitrure d'aluminium
H01L 23/15
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
14caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
15Substrats en céramique ou en verre
CPC
C04B 35/581
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
35Shaped ceramic products characterised by their composition
515based on non-oxide ceramics
58based on borides, nitrides, ; i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides; or silicides
581based on aluminium nitride
C04B 35/645
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
35Shaped ceramic products characterised by their composition
622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
64Burning or sintering processes
645Pressure sintering
C04B 35/6455
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
35Shaped ceramic products characterised by their composition
622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
64Burning or sintering processes
645Pressure sintering
6455Hot isostatic pressing
C04B 2235/3205
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
C04B 2235/3217
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3217Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
C04B 2235/3222
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3217Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
3222Aluminates other than alumino-silicates, e.g. spinel (MgAl2O4)
Déposants DENKA COMPANY LTD
Inventeurs HARADA YUSAKU
TERANO KATSUNORI
GOTOH TAKESHI
États désignés
Données relatives à la priorité 2010130665 08.06.2010 JP
Titre
(DE) LEITERPLATTE ENTHALTEND EIN ALUMINIUMNITRIDSUBSTRAT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
(EN) CIRCUIT BOARD COMPRISING AN ALUMINIUM NITRIDE SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
(FR) CIRCUIT IMPRIMÉ COMPRENANT UN SUBSTRAT DE NITRURE D'ALUMINIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abrégé
(EN) Disclosed is an aluminum nitride substrate for a circuit board, the substrate having aluminum nitride crystal grains with an average grain size of 2 to 5 µm and a thermal conductivity of at least 170 W/m·K. The aluminum nitride substrate does not include a dendritic grain boundary phase and has a breakdown voltage of at least 30 kV/mm at 400 °C. Also provided is a method for producing the aluminum nitride substrate, including the steps of heating a raw material containing an aluminum nitride powder to 1500 °C at a pressure of at most 150 Pa, then increasing and holding the temperature at 1700 to 1900 °C in a pressurized atmosphere of at least 0.4 MPa using a non-oxidizing gas, then cooling to 1600 °C at a cooling rate of at most 10 °C/min.
(FR) L'invention porte sur un substrat de nitrure d'aluminium pour une carte de circuit imprimé, qui possède des cristaux d'aluminium ayant une granulométrie moyenne de 2 à 5 µm. Ce substrat de nitrure d'aluminium, qui a une conductivité thermique d'au moins 170 W/m·K, ne contient pas de phase intergranulaire dendritique et a une tension de claquage d'au moins 30 V/mm à 400°C. L'invention porte aussi sur un procédé de production dudit substrat de nitrure d'aluminium, dans lequel une matière première contenant une poudre de nitrure d'aluminium est comprimée sous une pression allant jusqu'à 150 Pa et à une température allant jusqu'à 1500°C, puis la température est augmentée à 1700-1900°C dans une atmosphère sous pression d'au moins 0,4 MPa par utilisation d'un gaz non oxydant. Après maintien en température, le procédé prévoit un refroidissement du nitrure d'aluminium à 1600°C à une vitesse de 10°C/minute.