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1. EP3978657 - TRANCHE DE MONOCRISTAL DE GERMANIUM, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL DE GERMANIUM, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE BARRE DE CRISTAL ET UTILISATION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL

Office
Office européen des brevets (OEB)
Numéro de la demande 20814220
Date de la demande 15.05.2020
Numéro de publication 3978657
Date de publication 06.04.2022
Type de publication A1
CIB
C30B 29/08
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
08Germanium
H01L 29/16
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
16comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
CPC
B24B 1/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
1Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
B24B 9/065
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
9Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
02characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
06of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
065of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
B28D 5/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
5Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
C30B 29/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
08Germanium
C30B 11/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
02without using solvents
H01L 29/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
Déposants BEIJING TONGMEI XTAL TECH CO LTD
Inventeurs SHETTY RAJARAM
WANG YUANLI
LIU WEIGUO
ZHOU YVONNE
CHU SUNG-NEE GEORGE
États désignés
Données relatives à la priorité 201910483748.4 31.05.2019 CN
Titre
(DE) GERMANIUMEINKRISTALLWAFER, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES GERMANIUMEINKRISTALLWAFERS, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KRISTALLSTABES UND VERWENDUNG EINES EINKRISTALLWAFERS
(EN) GERMANIUM SINGLE-CRYSTAL WAFER, METHOD FOR PREPARING GERMANIUM SINGLE-CRYSTAL WAFER, METHOD FOR PREPARING CRYSTAL BAR, AND USE OF SINGLE-CRYSTAL WAFER
(FR) TRANCHE DE MONOCRISTAL DE GERMANIUM, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL DE GERMANIUM, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE BARRE DE CRISTAL ET UTILISATION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL
Abrégé
(EN) A germanium single-crystal wafer comprises silicon with an atomic concentration of from 3×1014 atoms/cc to 10×1018 atoms/cc, boron with an atomic concentration of from 1×1016 atoms/cc to 10×1018 atoms/cc, and gallium with an atomic concentration of from 1×1016 atoms/cc to 10×1019 atoms/cc. Further provided are a method for preparing the germanium single-crystal wafer, a method for preparing a germanium single-crystal ingot, and the use of the germanium single-crystal wafer for increasing the open-circuit voltage of a solar cell. The germanium single-crystal wafer has an improved electrical property in that it has a smaller difference in resistivity and carrier concentration.
(FR) L'invention concerne une tranche de monocristal de germanium. La tranche de monocristal de germanium contient du silicium en une concentration atomique de 3 × 1014 atomes/centimètre cube à 10 × 1018 atomes/centimètre cube, du bore en une concentration atomique de 1 × 1016 atomes/centimètre cube à 10 × 1018 atomes/centimètre cube, et du gallium en une concentration atomique de 1 × 1016 atomes/centimètre cube à 10 × 1019 atomes/centimètre cube. L'invention concerne en outre un procédé de préparation de la tranche de monocristal de germanium, un procédé de préparation d'une barre de monocristal de germanium, et l'utilisation de la tranche de monocristal de germanium pour augmenter la tension de circuit ouvert d'une cellule solaire. La tranche de monocristal de germanium a une propriété électrique améliorée, et a une différence de résistivité plus faible et une concentration en porteurs médiocre.
Documents de brevet associés
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