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Paramétrages

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1. EP3780073 - STRUCTURE D'ÉLECTRODE

Office
Office européen des brevets (OEB)
Numéro de la demande 19785253
Date de la demande 08.04.2019
Numéro de publication 3780073
Date de publication 17.02.2021
Type de publication A4
CIB
G01N 27/333
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
28Composants de cellules électrolytiques
30Électrodes, p.ex. électrodes pour tests; Demi-cellules
333Electrodes ou membranes sélectives à l'égard des ions
G06K 19/04
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
KRECONNAISSANCE DES DONNÉES; PRÉSENTATION DES DONNÉES; SUPPORTS D'ENREGISTREMENT; MANIPULATION DES SUPPORTS D'ENREGISTREMENT
19Supports d'enregistrement pour utilisation avec des machines et avec au moins une partie prévue pour supporter des marques numériques
04caractérisés par la forme
G06K 19/077
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
KRECONNAISSANCE DES DONNÉES; PRÉSENTATION DES DONNÉES; SUPPORTS D'ENREGISTREMENT; MANIPULATION DES SUPPORTS D'ENREGISTREMENT
19Supports d'enregistrement pour utilisation avec des machines et avec au moins une partie prévue pour supporter des marques numériques
06caractérisés par le genre de marque numérique, p.ex. forme, nature, code
067Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit
07avec des puces à circuit intégré
077Détails de structure, p.ex. montage de circuits dans le support
H01L 21/56
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/31
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31caractérisées par leur disposition
CPC
G01N 27/333
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
28Electrolytic cell components
30Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
333Ion-selective electrodes or membranes
G06K 19/077
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
KRECOGNITION OF DATA; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
19Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
06characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards ; also with resonating or responding marks without active components
07with integrated circuit chips
077Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
G06K 19/042
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
KRECOGNITION OF DATA; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
19Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
04characterised by the shape
041Constructional details
042the record carrier having a form factor of a credit card and including a small sized disc, e.g. a CD or DVD
H01L 23/3107
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
31characterised by the arrangement ; or shape
3107the device being completely enclosed
H01L 21/565
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
565Moulds
G01N 27/283
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
28Electrolytic cell components
283Means for supporting or introducing electrochemical probes
Déposants HITACHI HIGH TECH CORP
Inventeurs IKEDA UKYO
ONO TETSUYOSHI
NAKATSUCHI HIROKI
MIYAKE MASAFUMI
États désignés
Données relatives à la priorité 2018075095 10.04.2018 JP
Titre
(DE) ELEKTRODENSTRUKTUR
(EN) ELECTRODE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE D'ÉLECTRODE
Abrégé
(EN) An electrode formed by molding a semiconductor device with resin. The electrode comprises: a first resin mold portion formed on a front surface of the semiconductor device and having a first thickness (t1) ; a second resin mold portion formed on a back surface of the semiconductor device and having a second thickness (t2) greater than the first thickness; and an exposed portion formed in a part of the first resin mold portion corresponding to an end of the semiconductor device.
(FR) L'invention concerne une électrode formée par moulage d'un dispositif à semi-conducteur avec de la résine. L'électrode comprend : une première partie de moule en résine formée sur une surface avant du dispositif à semi-conducteur et ayant une première épaisseur (t1); une seconde partie de moule en résine formée sur une surface arrière du dispositif à semi-conducteur et ayant une seconde épaisseur (t2) supérieure à la première épaisseur; et une partie exposée formée dans une partie de la première partie de moule en résine correspondant à une extrémité du dispositif à semi-conducteur.
Documents de brevet associés