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1. EP1598451 - GENERATEUR DE CHALEUR AU GRAPHITE PERMETTANT DE PRODUIRE UN CRISTAL UNIQUE, SYSTEME DE PRODUCTION DE CRISTAL UNIQUE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAL UNIQUE

Office
Office européen des brevets (OEB)
Numéro de la demande 03777339
Date de la demande 08.12.2003
Numéro de publication 1598451
Date de publication 23.11.2005
Type de publication A4
CIB
C30B 15/14
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
14Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé
CPC
C30B 15/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
14Heating of the melt or the crystallised materials
Y10T 117/10
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
Déposants SHINETSU HANDOTAI KK
Inventeurs SAKURADA MASAHIRO
FUSEGAWA IZUMI
SOETA S
IIDA MAKOTO
États désignés
Données relatives à la priorité 0315655 08.12.2003 JP
2002382291 27.12.2002 JP
2002382307 27.12.2002 JP
2002382317 27.12.2002 JP
2003111694 16.04.2003 JP
Titre
(DE) GRAPHIT-HEIZVORRICHTUNG ZUR EINKRISTALLPRODUKTION, EINKRISTALLPRODUKTIONSSYSTEM UND EINKRISTALLPRODUKTIONSVERFAHREN
(EN) GRAPHITE HEATER FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL PRODUCTIN SYSTEM AND SINGLE CRYSTAL PRODUCTIN METHOD
(FR) GENERATEUR DE CHALEUR AU GRAPHITE PERMETTANT DE PRODUIRE UN CRISTAL UNIQUE, SYSTEME DE PRODUCTION DE CRISTAL UNIQUE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAL UNIQUE
Abrégé
(EN)
The present invention discloses a graphite heater for producing a single crystal used when producing a single crystal by the Czochralski method which comprises at least a terminal part to which electric current is supplied and a cylindrical heat generating part by resistance heating and are provided so as to surround a crucible for containing a raw material melt wherein the heat generating part has heat generating slit parts formed by being provided with upper slits extending downward from the upper end and lower slits extending upwards from the lower end by turns, and a length of at least one slit of the upper slits differs from others and/or a length of at least one slit of the lower slits differs from others so that a heat generating distribution of the heat generating part may be changed. Thereby, there can be provided a graphite heater for producing a single crystal which makes it possible to produce a silicon single crystal with high productivity when the silicon single crystal is pulled in a predetermined defect-free region or a predetermined defect region.

(FR)
L'invention concerne un générateur de chaleur au graphite qui permet de produire un cristal unique au moyen de la technique de Czochralski. Ce générateur de chaleur est pourvu d'une borne qui est alimentée par un courant et d'une section génératrice de chaleur tubulaire qui utilise le chauffage ohmique et qui est disposée de façon qu'elle entoure un creuset contenant un matériau liquide en fusion. Ce générateur de chaleur est caractérisé en ce que : la section génératrice de chaleur comprend une section de fentes génératrices de chaleur disposées en alternance de façon que les fentes supérieures soient orientées vers le bas à partir de leur extrémité supérieure et que les fentes inférieures soient orientées vers le haut à partir de leur extrémité inférieure ; au moins une fente supérieure présente une longueur différente de celle d'autres fentes supérieures et/ou au moins une fente inférieure présente une longueur différente de celle d'autres fentes inférieures de façon à modifier la distribution de la génération de chaleur au niveau de la section génératrice de chaleur. Lorsqu'un cristal unique de silicium est tiré dans une région spécifique exempte de défauts ou dans une région spécifique de défauts, le cristal unique de silicium peut être produit avec une efficacité élevée.

Également publié en tant que