(EN) The invention provides a method of producing silicon single crystals which comprises using the CZ method under application of a magnetic field to the silicon melt and under application of an electric current containing a component perpendicular to this magnetic field, namely using the EMCZ method, adjusting the pulling rate in the process of single crystal growth and thereby growing a single crystal under conditions such that the outside diameter of the potential region of the ring-forming oxidation-induced stacking faults (R-OSF) occurring in the cross section of the crystal is within the range of 70% to 0% of the crystal diameter. Using the method of producing silicon single crystals in the present invention, wafers for semiconductors excellent in device characteristics such as gate oxide integrity or the like can be produced with high productivity without allowing in-plane formation of COPs with not less than 0.1 mu m in size, or of dislocation clusters. These silicon single crystals can be produced with high productivity and under growing conditions such that a wide range of pulling rate can be allowed. Therefore, they can be used widely for semiconductor devices.
(FR) Procédé de fabrication d"un monocristal de silicium consistant à effectuer la croissance de ce monocristal de silicium, tout en réglant le niveau de tirage dans le processus de croissance du monocristal, à condition que le diamètre extérieur de la zone latente dans laquelle se trouvent des défauts d"empilement provoqués par l"oxydation (OSF) dans le plan du cristal, soit situé dans une plage de 70 à 80 % du diamètre du cristal, au moyen d"un procédé EMCZ, c"est-à-dire un procédé CZ consistant à appliquer un champ magnétique au silicium en fusion et à appliquer un courant électrique à ce silicium en fusion, dont une composante est perpendiculaire au champ magnétique. Ce procédé permet de fabriquer un monocristal de silicium possédant des caractéristiques excellentes, telles que la tension de rupture de la couche d"oxyde, sans créer de COP de dimension non inférieure à 0,1 µm, ni de grappe de dislocation dans le plan du cristal. On peut, de plus, fabriquer ce monocristal de silicium selon un rendement excellent dans des conditions de croissance pouvant être appliquées dans une plage de niveaux de tirage extrêmement tolérante, ce qui permet de mettre ce procédé en application pour une très grande variété de composants à semi-conducteur.
