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1. (EP0626100) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE A SEMICONDUCTEUR ET STRUCTURE A SEMICONDUCTEUR FABRIQUEE SELON LE PROCEDE

Office : Office européen des brevets (OEB)
Numéro de la demande : 93905236 Date de la demande : 10.02.1993
Numéro de publication : 0626100 Date de publication : 30.11.1994
Type de publication : B1
Demande PCT antérieure: Numéro de la demande: EP1993000319; Numéro de publication: Cliquez pour voir les données
CIB :
H 01L
H 01L
H01L 21/762
H 01L
H01L 21/764
H01L 27/088
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
762
Régions diélectriques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
764
Espaces d'air
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
08
comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085
comprenant uniquement des composants à effet de champ
088
les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
CPC :
H01L 21/764
H01L 27/088
Déposants : DAIMLER BENZ AG
Inventeurs : BODENSOHN ALEXANDER DIPL-ING
HENKEL HEINZ
Données relatives à la priorité : 4204004 12.02.1992 DE
9300319 10.02.1993 EP
Titre : (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSTRUKTUR
(EN) PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE A SEMICONDUCTEUR ET STRUCTURE A SEMICONDUCTEUR FABRIQUEE SELON LE PROCEDE
Abrégé : front page image
(DE) Es läßt sich neben lateralen Halbleiterbauelementen (13) ein vertikales Halbleiterbauelement (14) auf einem gemeinsamen Halbleiterkörper (1) integrieren, wenn die lateralen Halbleiterbauelemente (13) gegenüber dem vertikalen Halbleiterbauelement (14) durch einen pn-Übergang gegeneinander isoliert sind. Bei dieser Art der Isolierung ist unter anderem nachteilig, daß viel Platz für die Ausbreitung der Raumladungszone des pn-Übergangs belegt wird. Deshalb ist es günstig, eine andere Art der Isolierung vorzunehmen; dazu werden laterale Halbleiterbauelemente (13) enthaltende Teilstrukturen (7) durch isolierende Wände (6) seitlich umgeben. Die Wände reichen bis zu einer bestimmten Tiefe von einer ersten Öberfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) her in diesen hinein; im Bereich der Teilstrukturen (7) ist der Halbleiterkörper (7) von einer zweiten Oberfläche (3) her in seiner Dicke vermindert, und zwar derart, daß eine Ausnehmung (9) entsteht, die bis zu den isolierenden Wänden (6) reicht. Außerhalb der Teilstrukturen (7) lassen sich mehrere vertikale Bauelemente in den Halbleiterkörper integrieren.
(EN) A vertical semiconductor component (14) may be integrated on a common semiconductor body (1) together with lateral semiconductor components (13) the lateral semiconductor components (13) being insulated from the vertical semiconductor component (14) by means of a pn-junction. One of the inconvenients of this type of insulation is that much space is needed for spreading the space charge region of the pn-junction. It is therefore advantageous to insulate in another manner according to which partial structures (7) containing lateral semiconductor components (13) are laterally surrounded by insulating walls (6). These walls extend from a first surface (2) of the semiconductor body (1) down to a determined depth thereof; in the area of the partial structures (7), the semiconductor body (7) has a second surface (3) that reduces its thickness, in the manner of a recess (9) that extends up to the insulating walls (6). Several vertical components may be integrated in the semiconductor body outside the partial structures (7).
(FR) Un composant semi-conducteur (13) vertical peut être intégré sur un corps semi-conducteur commun (1) près des composants semi-conducteurs latéraux (13), ces derniers étant isolés par rapport au composant semi-conducteur (14) vertical au moyen d'une jonction PN. Cette manière d'isoler présente, entre autres, l'inconvénient de nécessiter beaucoup d'espace pour l'étalement de la zone de la charge d'espace de la jonction PN. C'est pourquoi il est avantageux d'effectuer l'isolation d'une autre manière. A cet effet, les structures partielles (7) contenant les composants semiconducteurs latéraux (13) sont entourées latéralement par des parois isolantes (6). Les parois partent d'une première surface (2) du corps semi-conducteur (1) pour atteindre une certaine profondeur et entrent dans le corps semi-conducteur. Dans la zone des structures partielles (7), le corps semi-conducteur (7) à son épaisseur réduite par une seconde surface (3), de manière à former un creux (9) s'étendant jusqu'aux parois isolantes (6). Plusieurs composants verticaux peuvent être intégrés dans le corps semi-conducteur, en dehors des structures partielles (7).
Also published as:
US5591665JPH07504066WO/1993/017459