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Paramétrages

Paramétrages

1. CN1886833 - Capacitor

Office Chine
Numéro de la demande 200380110898.8
Date de la demande 23.12.2003
Numéro de publication 1886833
Date de publication 27.12.2006
Type de publication A
CIB
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 27/00
H01L 27/02
CPC
H01L 23/5223
H01L 21/76838
H01L 28/82
H01L 2924/0002
H01L 2924/3011
Y10T 29/43
Déposants Ericsson Telefon AB L M
艾利森电话股份有限公司
Inventeurs Gevorgian S.
S·格弗吉安
Lewin T.
T·勒文
Zirath H.
H·兹拉希
Motlagh B.
B·莫特拉格
Mandataires zhang xuemei chen jingjun
中国专利代理(香港)有限公司
中国专利代理(香港)有限公司
Titre
(EN) Capacitor
(ZH) 电容器
Abrégé
(EN)
A method of creating a capacitor in an integrated circuit. According to a basic version of the invention the capacitor uses intensive fringing fields to create a capacitance. This is achieved by creating a capacitor with vertical overlapping conducting electrodes between two planes of the integrated circuit, instead of plates parallel to the planes. A capacitor according to the invention can additionally comprise horizontal, i.e. parallel plates. A capacitor according the method is also disclosed.

(ZH)

在集成电路中形成电容器的方法。根据本发明的基本版本,电容器使用密集的边缘场以形成电容。通过形成在集成电路的两个平面之间具有垂直交叠导电电极(而非平行于该平面的极板)的电容器而实现这一点。根据本发明的电容器另外包含水平即平行极板。还公开了根据该方法的电容器。

Également publié en tant que
KR1020067012531
US2007217122