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1. CN111243654 - 一种闪存芯片及其校准方法和装置

Office Chine
Numéro de la demande 201811438979.5
Date de la demande 28.11.2018
Numéro de publication 111243654
Date de publication 05.06.2020
Type de publication A
CIB
G11C 29/26
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
29Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
04Détection ou localisation d'éléments d'emmagasinage défectueux
08Test fonctionnel, p.ex. test lors d'un rafraîchissement, auto-test à la mise sous tension ou test réparti
12Dispositions intégrées pour les tests, p.ex. auto-test intégré
18Dispositifs pour la génération d'adresses; Dispositifs pour l'accès aux mémoires, p.ex. détails de circuits d'adressage
26Accès à des réseaux multiples
G11C 29/14
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
29Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
04Détection ou localisation d'éléments d'emmagasinage défectueux
08Test fonctionnel, p.ex. test lors d'un rafraîchissement, auto-test à la mise sous tension ou test réparti
12Dispositions intégrées pour les tests, p.ex. auto-test intégré
14Mise en œuvre d'une logique de commande, p.ex. décodeurs de mode de test
Déposants 北京知存科技有限公司
Inventeurs 王绍迪
Titre
(ZH) 一种闪存芯片及其校准方法和装置
Abrégé
(ZH)
本发明提供一种闪存芯片及其校准方法和装置,可利用闪存单元的可调权重等级对该闪存芯片中的工作阵列进行校准,具体可通过设置用于校准工作阵列的至少一个参考阵列,并且参考阵列中的闪存单元的数量大于或等于该闪存单元的可调权重等级N;参考阵列的N个闪存单元的初始权重值与闪存单元的N级可调权重一一对应,多余的闪存单元作为冗余单元备用;校准时,根据参考阵列中闪存单元的实时权重值、初始权重值校准工作阵列中闪存单元的实时权重值,以此实现工作阵列中闪存单元权重的离线更新校准,补偿了漏电现象对闪存单元权重的影响,能够提高存储数据的精度。

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