Commentaires
Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. CN110202419 - Monocrystalline germanium slice, preparation method of monocrystalline germanium slice, preparation method of crystal bar, and application of single crystal wafer

Lien permanent
Office
Chine
Numéro de la demande 201910483748.4
Date de la demande 31.05.2019
Numéro de publication 110202419
Date de publication 06.09.2019
Numéro de délivrance 110202419
Date de délivrance 19.10.2021
Type de publication B
CIB
B24B 1/00
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
1Procédés de meulage ou de polissage; Utilisation d'équipements auxiliaires en relation avec ces procédés
B24B 9/06
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
9Machines ou dispositifs pour meuler les bords ou les biseaux des pièces ou pour enlever des bavures; Accessoires à cet effet
02caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière propre aux objets à meuler
06de matière inorganique non métallique, p.ex. de la pierre, des céramiques, de la porcelaine
B28D 5/00
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
28TRAVAIL DU CIMENT, DE L'ARGILE OU DE LA PIERRE
DTRAVAIL DE LA PIERRE OU DES MATÉRIAUX SEMBLABLES À LA PIERRE
5Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet
C30B 11/02
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
02sans solvants
C30B 29/08
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
08Germanium
H01L 29/06
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
CPC
B24B 1/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
1Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
B24B 9/065
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
9Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
02characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
06of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
065of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
B28D 5/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
5Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
C30B 29/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
08Germanium
C30B 11/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
02without using solvents
H01L 29/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
Déposants BEIJING TONGMEI XTAL TECHNOLOGY CO., LTD.
北京通美晶体技术股份有限公司
Inventeurs RAJARAM SHADY
拉贾拉姆·谢蒂
WANG YUANLI
王元立
LIU WEIGUO
刘卫国
ZHOU WENWAN
周雯婉
ZHU SONGYI
朱颂义
Mandataires 北京北翔知识产权代理有限公司 11285
北京北翔知识产权代理有限公司 11285
Titre
(EN) Monocrystalline germanium slice, preparation method of monocrystalline germanium slice, preparation method of crystal bar, and application of single crystal wafer
(ZH) 锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途
front page image
Abrégé
(EN) The invention relates to a monocrystalline germanium slice which contains silicon with the atomic concentration ranging from 3x1014 atoms/cc to 10x1018 atoms/cc, boron with the atomic concentration ranging from 1x1016 atoms/cc to 10x1018 atoms/cc, and gallium with the atomic concentration ranging from 1x1016 atoms/cc to 10x1019 atoms/cc. The invention further relates to a preparation method of themonocrystalline germanium slice, a preparation method of a crystal bar, and application of the single crystal wafer in increasing the open-circuit voltage of a solar cell. The monocrystalline germanium slice obtained through the invention has an improved electricity property, and especially has small differential resistivity and poor carrier concentration.
(ZH) 本发明涉及锗单晶片，其包含原子浓度为3×1014atoms/cc至10×1018atoms/cc的硅、原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1018atoms/cc的硼以及原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1019atoms/cc的镓。本发明还涉及该锗单晶片的制法、锗单晶棒的制法，以及涉及锗单晶片用于增加太阳能电池开路电压的用途。本发明的获得的锗单晶片具有改进的电学性能，特别是具有更小的电阻率差和载流子浓度差。
Documents de brevet associés
WO/2020/238646
EP3978657
US17615484Cette demande ne peut pas être visualisée dans PATENTSCOPE car les données relatives à l'ouverture de la phase nationale n'ont pas encore été publiées ou sont émises par un pays qui ne partage pas de données avec l'OMPI ou il y a un problème de formatage ou d'indisponibilité de la demande.
# -