Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. CN109585238 - Field emission electrode and preparation method thereof

Office Chine
Numéro de la demande 201811468465.4
Date de la demande 03.12.2018
Numéro de publication 109585238
Date de publication 05.04.2019
Numéro de délivrance 109585238
Date de délivrance 09.06.2020
Type de publication B
CIB
H01J 1/304
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
1Détails des électrodes, des moyens de commande magnétiques, des écrans, ou du montage ou de l'espacement de ces éléments, communs au moins à deux types de base de tubes ou lampes à décharge
02Electrodes principales
30Cathodes froides
304Cathodes à émission d'électrons de champ
H01J 9/02
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
9Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de tubes à décharge électrique, de lampes à décharge électrique ou de leurs composants; Récupération de matériaux à partir de tubes ou de lampes à décharge
02Fabrication des électrodes ou des systèmes d'électrodes
B82Y 30/00
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
YUTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
30Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
B82Y 40/00
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
YUTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
40Fabrication ou traitement des nanostructures
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
H01J 1/3044
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
1Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
02Main electrodes
30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
304Field-emissive cathodes
3042microengineered, e.g. Spindt-type
3044Point emitters
H01J 9/025
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
9Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, ; installation, removal, maintenance; of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof
02Manufacture of electrodes or electrode systems
022of cold cathodes
025of field emission cathodes
Déposants SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY
深圳先进技术研究院
Inventeurs ZHANG DAOSHU
张道书
CHEN MING
陈明
HONG XUDA
洪序达
FENG YE
冯叶
ZHONG GUOHUA
钟国华
LI WENJIE
李文杰
YANG CHUNLEI
杨春雷
Mandataires 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304
深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304
Titre
(EN) Field emission electrode and preparation method thereof
(ZH) 场致发射电极及其制备方法
Abrégé
(EN)
The invention discloses a field emission electrode. The field emission electrode comprises a substrate and a metal electrode layer formed on the substrate, the metal electrode layer is provided with aplurality of indium bumps arranged in an array, and the top surface of each indium bump is provided with a plurality of nanowires. The preparation method comprises the steps of: S10, providing a substrate, and performing depositing on the substrate to form a metal electrode layer; S20, preparing a photoresist mask having a hole array on the metal electrode layer; S30, depositing indium materialson the photoresist mask to peel off the photoresist mask to obtain the indium bumps arranged in the array; and S40, putting the substrate with the formed indium bumps in a reaction furnace, wherein the top surface of each indium bump grows and forms the plurality of nanowires. The field emission electrode has an excellent field emission performance and is simple in preparation process, the growthof the nanowires can be performed in the low temperature and the low voltage, the growth condition is simple and gentle and easy to control, and therefore, the quality of products can be effectively improved and the production cost is reduced.

(ZH)
本发明公开了一种场致发射电极,包括基底以及形成在基底上的金属电极层,所述金属电极层上设置有呈阵列排布的多个铟柱,每一铟柱的顶面设置有多条纳米线。其制备方法包括步骤:S10、提供基底并基底上沉积形成金属电极层;S20、在金属电极层上制备形成具有孔洞阵列的光刻胶掩膜板;S30、在光刻胶掩膜板上沉积铟材料然后剥离光刻胶掩膜板,获得呈阵列排布的多个铟柱;S40、将制备形成铟柱后的基底置于反应炉中,在每一铟柱的顶面上生长形成多条纳米线。本发明中的场致发射电极具有优异的场发射性能,其制备工艺简单,纳米线的生长可以在低温低压的条件下进行,生长条件简单温和、易于控制,能够有效地提高产品的品质并降低生产成本。

Également publié en tant que