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1. CN109362013 - Combined sensor

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[ ZH ]

权利要求书

1.一种组合传感器,其特征在于,所述组合传感器包括:
基板,所述基板具有上表面和下表面;
第一MEMS芯片和第一ASIC芯片,所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片安装至所述基板的上表面,所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片电连接,所述第一MEMS芯片为电容式结构;以及
第二MEMS芯片和第二ASIC芯片,所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片安装至所述基板的上表面,所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片电连接,所述第二MEMS芯片的工作电压为交流电压;
所述第一MEMS芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离为d1,d1≥0.3mm,所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离为d2,d2≥1.2mm。

2.如权利要求1所述的组合传感器,其特征在于,所述最短距离d1形成于所述第一MEMS芯片的侧面和所述第二ASIC芯片的侧面之间;
所述最短距离d2形成于所述第一ASIC芯片的侧面和所述第二ASIC芯片的侧面之间。

3.如权利要求1所述的组合传感器,其特征在于,所述第一MEMS芯片呈长方体,所述第一ASIC芯片呈长方体,所述第二ASIC芯片呈长方体;
所述最短距离d1形成于所述第一MEMS芯片的侧棱与所述第二ASIC芯片的侧棱之间;
所述最短距离d2形成于所述第一ASIC芯片的侧棱和所述第二ASIC芯片的侧棱之间。

4.如权利要求1至3任一项所述的组合传感器,其特征在于,所述第一MEMS芯片与所述第二MEMS芯片的最短距离的连线为a,所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离的连线为b,a与b相交。

5.如权利要求4所述的组合传感器,其特征在于,所述第一MEMS芯片和所述第二MEMS芯片并排设置。

6.如权利要求1所述的组合传感器,其特征在于,所述基板呈矩形,所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片分布在所述基板的对角方向上。

7.如权利要求1所述的组合传感器,其特征在于,所述第一MEMS芯片的体积小于所述第二MEMS芯片或第二ASIC芯片的体积;
和/或,所述第一MEMS芯片的工作电压为直流电压;
和/或,所述基板为电路板。

8.如权利要求1所述的组合传感器,其特征在于,所述第一MEMS芯片为麦克风芯片。

9.如权利要求8所述的组合传感器,其特征在于,所述基板设有声孔,所述麦克风芯片覆盖所述声孔。

10.如权利要求1所述的组合传感器,其特征在于,所述组合传感器还包括罩壳,所述罩壳设于所述基板的上表面,与所述基板限定出封装腔;
所述第一MEMS芯片、所述第一ASIC芯片、所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片设于所述封装腔。