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1. (CN107636194) SPUTTERING TARGET ASSEMBLY

Office : Chine
Numéro de la demande : 201680031260.2 Date de la demande : 02.05.2016
Numéro de publication : 107636194 Date de publication : 26.01.2018
Type de publication : A
Référence PCT: Numéro de la demande :PCTJP2016063552 ; Numéro de publication : Cliquer pour voir les données
CIB :
C23C 14/34
H01L 21/203
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
203
en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation
Déposants : KOBELCO RES INSTITUTE INC.
Inventeurs : TAKAGI KATSUTOSHI
KANAMARU MORIYOSHI
HIROSE KENTA
IWASAKI YUKI
Données relatives à la priorité : 2015-130969 30.06.2015 JP
Titre : (EN) SPUTTERING TARGET ASSEMBLY
(ZH) 溅射靶材组装体
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a sputtering target assembly that includes a plurality of mounting sections which are disposed on a backing plate, which are disposed with a gap therebetween, and on each of which one or more sputtering target members are disposed via a bonding material. The sputtering target assembly has a Ni base material coating in gaps between the adjacent mounting sections.
(ZH) 本发明为一种溅射靶材组装体,其含有多个载置部,所述多个载置部是配置于底板上,且彼此空开间隔而配置,在各载置部上经由接合材料而配置有一个以上的溅射靶材构件,并且在相邻的所述载置部之间的间隙部中具有Ni基材料的涂层。
Également publié sous:
KR1020180012310WO/2017/002445