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1. CN103109352 - 用于3D内存应用的PECVD氧化物-氮化物以及氧化物-硅堆栈

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Office Chine
Numéro de la demande 201180044315.0
Date de la demande 28.09.2011
Numéro de publication 103109352
Date de publication 15.05.2013
Numéro de délivrance 103109352
Date de délivrance 04.05.2016
Type de publication B
CIB
H01L 21/205
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
CPC
H01L 21/02164
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02164the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
H01L 21/0217
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
0217the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
H01L 21/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
022the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
H01L 21/02274
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02263deposition from the gas or vapour phase
02271deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
02274in the presence of a plasma [PECVD]
H01L 21/0234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02296characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
02318post-treatment
02337treatment by exposure to a gas or vapour
0234treatment by exposure to a plasma
Déposants 应用材料公司
Inventeurs N·拉贾戈帕兰
X·韩
J·A·朴
清原敦
朴贤秀
金秉宪
Mandataires 上海专利商标事务所有限公司 31100
Données relatives à la priorité 12899401 06.10.2010 US
Titre
(ZH) 用于3D内存应用的PECVD氧化物-氮化物以及氧化物-硅堆栈
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Abrégé
(ZH)

在单一等离子体增强化学气相沉积处理腔室中，将不同材料的层堆栈结构沉积至基板上，同时维持真空。将基板放到处理腔室中，并且第一处理气体用于在基板上形成第一层的第一材料。在第二处理气体用于在基板上形成第二层的第二材料之前，进行等离子体净化及气体净化。重复等离子体净化及气体净化，并且将第一与第二材料的附加层沉积至层堆栈结构上。
Également publié en tant que
JP2013546169
KR1020130129930
US08076250
WO/2012/047697
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