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1. (US20050082530) Thin film transistor

Office : États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande : 10959976 Date de la demande : 08.10.2004
Numéro de publication : 20050082530 Date de publication : 21.04.2005
Numéro de délivrance : 08704305 Date de délivrance : 22.04.2014
Type de publication : B2
CIB :
H01L 27/01
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
01
comprenant uniquement des éléments à film mince ou à film épais formés sur un substrat isolant commun
Déposants : Koo Jae-Bon
Samsung Display Co., Ltd.
Choi Byoung-Deog
So Myeong-Seob
Kim Won-Sik
Inventeurs : Koo Jae-Bon
Choi Byoung-Deog
So Myeong-Seob
Kim Won-Sik
Mandataires : H.C. Park & Associates, PLC
Données relatives à la priorité : 10-2003-0072337 16.10.2003 KR
Titre : (EN) Thin film transistor
Abrégé : front page image
(EN)

A thin film transistor of the present invention comprises, an active layer formed on an insulating substrate and having a channel region and source/drain regions; a gate electrode formed corresponding to the channel region of the active region; a body contact region separately formed with the source/drain regions in the active layer; source/drain electrodes each connected to the source/drain regions; and a conductive wiring for connecting the body contact region and the gate electrode.