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1. (JP2015144312) SEMICONDUCTOR DEVICE

Office : Japon
Numéro de la demande : 2015077468 Date de la demande : 06.04.2015
Numéro de publication : 2015144312 Date de publication : 06.08.2015
Numéro de délivrance : 5961302 Date de délivrance : 01.07.2016
Type de publication : B2
CIB :
G02F 1/1368
H01L 29/786
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
1368
dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants : 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventeurs : 本田 達也
Données relatives à la priorité : 2005300825 14.10.2005 JP
Titre : (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(JA) 半導体装置
Abrégé :
(EN) PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor device which reduces contact resistance between a semiconductor film and an electrode or wiring, improves the coverage factor between the semiconductor film and the electrode or the wiring, and improves the characteristics.

SOLUTION: A semiconductor device includes: a gate electrode located on a substrate; a gate insulation film located on the gate electrode; a first source electrode or a first drain electrode, located on the gate insulation film; an island-shaped semiconductor film located on the first source electrode or the first drain electrode; and a second source electrode or a second drain electrode, located on the island-shaped semiconductor film and the first source electrode or the first drain electrode. The second source electrode or the second drain electrode is in contact with the first source electrode or the first drain electrode. The first source electrode or the first drain electrode and the second source electrode or the second drain electrode hold the island-shaped semiconductor film therebetween. This invention relates to the semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device.

COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT
(JA)

【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第1のソース電極又はドレイン電極と、前記第1のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第1のソース電極又はドレイン電極上に
第2のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第2のソース電極又はドレイン電極は
前記第1のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第1のソース電極又はドレ
イン電極及び第2のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。
【選択図】図1


Également publié sous:
EP1935027JP2007134687US20070087487JP2013016861CN101278403JP2014103418
WO/2007/043493