Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (JP2014068071) SEMICONDUCTOR DRIVE DEVICE

Office : Japon
Numéro de la demande : 2012209985 Date de la demande : 24.09.2012
Numéro de publication : 2014068071 Date de publication : 17.04.2014
Numéro de délivrance : 5776658 Date de délivrance : 09.09.2015
Type de publication : B2
CIB :
H02M 1/00
H03K 17/08
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
1
Détails d'appareils pour transformation
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08
Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
Déposants : トヨタ自動車株式会社
Inventeurs : 小石 歩生
長内 洋介
Mandataires : 伊東 忠重
伊東 忠彦
Données relatives à la priorité :
Titre : (EN) SEMICONDUCTOR DRIVE DEVICE
(JA) 半導体駆動装置
Abrégé :
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor drive device that can quickly interrupt an overcurrent flowing through a switching element even if a current by a feedback capacitance flows into a gate.

SOLUTION: The semiconductor drive device includes: first control means (soft shutdown circuit 50) for, when a flow of overcurrent is detected between a first main electrode and a second main electrode of a switching element, establishing continuity between a gate of the switching element and a predetermined reference potential and reducing a control voltage applied between the gate and the first main electrode to turn off the switching element; detection means (resistor R1) for detecting a current resulting from charging or discharging a feedback capacitance between the gate and the second main electrode; and second control means (gate potential change circuit 60) for, when the overcurrent and the current resulting from charging or discharging the feedback capacitance are detected, reducing a resistance value between the gate and the reference potential.

COPYRIGHT: (C)2014,JPO&INPIT


(JA)

【課題】帰還容量による電流がゲートに流れても、スイッチング素子に流れる過電流を速やかに遮断できる、半導体駆動装置を提供すること。
【解決手段】スイッチング素子の第1の主電極と第2の主電極との間に流れる過電流が検出されたとき、前記スイッチング素子のゲートと所定の基準電位との間を導通させて前記ゲートと前記第1の主電極との間に印加される制御電圧を低下させ、前記スイッチング素子をオフさせる第1の制御手段(ソフトシャットダウン回路50)と、前記ゲートと前記第2の主電極との間の帰還容量の充電又は放電に伴い生ずる電流を検出する検出手段(抵抗R1)と、前記過電流及び前記帰還容量の充電又は放電に伴い生ずる電流が検出されたとき、前記ゲートと前記基準電位との間の抵抗値を低くする第2の制御手段(ゲート電位変更回路60)とを備える、半導体駆動装置。
【選択図】図1