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Paramétrages

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1. JP2003253488 - ELECTROLYTIC TREATMENT APPARATUS

Office Japon
Numéro de la demande 2002061699
Date de la demande 07.03.2002
Numéro de publication 2003253488
Date de publication 10.09.2003
Numéro de délivrance 4112879
Date de délivrance 18.04.2008
Type de publication B2
CIB
C25D 7/12
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
7Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
12Semi-conducteurs
C25D 17/00
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
17Éléments structurels, ou leurs assemblages, des cellules pour revêtement électrolytique
C25F 7/00
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
FPROCÉDÉS POUR LE TRAITEMENT D'OBJETS PAR ENLÈVEMENT ÉLECTROLYTIQUE DE MATIÈRE; APPAREILLAGES À CET EFFET
7Éléments de construction des cellules, ou leur assemblage, pour l'enlèvement électrolytique de matières d'objets; Entretien ou conduite
H01L 21/288
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
288à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
Déposants EBARA CORP
株式会社荏原製作所
Inventeurs HONGO AKIHISA
本郷 明久
SENDAI SATOSHI
千代 敏
TOMIOKA MASAYA
富岡 賢哉
HONBO MITSUAKI
本坊 光朗
Mandataires 熊谷 隆
高木 裕
Titre
(EN) ELECTROLYTIC TREATMENT APPARATUS
(JA) 電解処理装置
Abrégé
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrolytic treatment apparatus with which electrolytic treatment of the surface of a substrate can be uniformly carried out without generating defects.

SOLUTION: A surface S to be plated is plated by filling a plating liquid Q between a base plate W having a contact point with a cathode and an anode 20 opposed to the base plate W. A rectification box 50 is provided between the base plate W and the anode 20 in the plating liquid Q. In the rectification box 50, a porous cathode side member 51 and a porous anode side member 55 are arranged opposed to each other through a gap 58, and plating liquid injection nozzles 65 are provided for inpouring the plating liquid toward central directions from a plurality of peripheral parts of the gap 58. The plating liquid Q is allowed to separately flow toward the both of the base plate W and the anode 20 through the faces of the porous cathode side member 51 and the porous anode side member 55 by inpouring the plating liquid Q into the rectification box 50 from the plating liquid injection nozzles 65.

COPYRIGHT: (C)2003,JPO

(JA)


【課題】 被処理基板表面の電解処理を欠陥なく均一に
行うことができる電解処理装置を提供すること。


【解決手段】 カソード電極との接点を持つ基板Wと基
板Wに対峙させたアノード20との間にめっき液Qを満
たして被めっき面Sのめっきを行なう。
基板Wとアノー
ド20の間のめっき液Q中に整流ボックス50を設置す
る。
整流ボックス50は、多孔体からなるカソード側部
材51とアノード側部材55を隙間58を介して対向設
置すると共に、隙間58の周囲の複数部分から中央方向
に向けてめっき液を注入するめっき液噴射ノズル65を
設置して構成されている。
整流ボックス50内にめっき
液噴射ノズル65からめっき液Qを注入することでカソ
ード側部材51とアノード側部材55の面を透して基板
Wとアノード20の両者に向けてめっき液Qを分流して
送り出す。