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1. WO2016092822 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE DU GROUPE III

JP2016111370METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
Appl.Date 07.12.2015
N° de demande 2015238859 Déposant DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO LTD Related Type IC6
Relié par un champ de priorité.
Type de publication B2,A Langue de publication ja
Date de publication 20.06.2016
CN107004745Method of manufacturing group III nitride semiconductor light emitting element
Appl.Date 08.12.2015
N° de demande 112015000067006 Déposant DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO. Related Type IC2
Ouverture de la phase nationale d'une demande PCT.

Si cette demande n'est pas visible dans l'onglet Phase nationale de la demande PCT, sa relation avec la demande PCT est identifiée à l'aide des informations de ses données bibliographiques, relatives au dépôt ou à la publication PCT ou régional(e).

Type de publication A,B
Date de publication 01.08.2017
US20180166604Method of producing III nitride semiconductor light-emitting device
Appl.Date 08.12.2015
N° de demande 15533482 Déposant DOWA Electronics Materials Co., Ltd. Related Type IC2
Ouverture de la phase nationale d'une demande PCT.

Si cette demande n'est pas visible dans l'onglet Phase nationale de la demande PCT, sa relation avec la demande PCT est identifiée à l'aide des informations de ses données bibliographiques, relatives au dépôt ou à la publication PCT ou régional(e).

Type de publication A1,B2
Date de publication 14.06.2018
WO/2016/092822METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
Appl.Date 08.12.2015
N° de demande PCT/JP2015/006099 Déposant DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. Related Type IC1
Demande PCT à l'origine de la famille.
Type de publication A Langue de publication ja
Date de publication 16.06.2016
CN201580067006.3
Appl.Date 08.06.2017
N° de demande 201580067006.3 Related Type IC3
Ouverture de la phase nationale d'une demande PCT introuvable dans PATENTSCOPE.
US20190081203Method of producing III nitride semiconductor light-emitting device
Appl.Date 13.11.2018
N° de demande 16188293 Déposant DOWA Electronics Materials Co., Ltd. Related Type IC4
Demande US liée à une autre demande US déjà incluse dans la famille.

La demande précédente est soit une division, une continuation, une réémission ou une republication de la dernière demande.

Type de publication A1,B2
Date de publication 14.03.2019