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1. WO2007108153 - COMPOSITION DE POLISSAGE POUR GALETTE DE SILICIUM, KIT DE COMPOSITION DE POLISSAGE DE GALETTE DE SILICIUM ET PROCEDE DE POLISSAGE DE GALETTE DE SILICIUM

Numéro de publication WO/2007/108153
Date de publication 27.09.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2006/320750
Date du dépôt international 18.10.2006
CIB
H01L 21/304 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
B24B 37/00 2006.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
C09K 3/14 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
14Substances antidérapantes; Abrasifs
CPC
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
C09K 3/1463
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
1463Aqueous liquid suspensions
H01L 21/02024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02024Mirror polishing
Déposants
  • デュポン エアプロダクツ ナノマテリアルズ, リミティド ライアビリティ カンパニー DuPont AirProducts NanoMaterials Limited Liability Company [US]/[US] (AllExceptUS)
  • 岩田 尚之 IWATA, Naoyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 長島 功 NAGASHIMA, Isao [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 岩田 尚之 IWATA, Naoyuki
  • 長島 功 NAGASHIMA, Isao
Mandataires
  • 谷 義一 TANI, Yoshikazu
Données relatives à la priorité
2006-07150315.03.2006JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POLISHING COMPOSITION FOR SILICON WAFER, COMPOSITION KIT FOR SILICON WAFER POLISHING, AND METHODS OF POLISHING SILICON WAFER
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE POUR GALETTE DE SILICIUM, KIT DE COMPOSITION DE POLISSAGE DE GALETTE DE SILICIUM ET PROCEDE DE POLISSAGE DE GALETTE DE SILICIUM
(JA) シリコンウエハ用研磨組成物、シリコンウエハ研磨用組成物キットおよびシリコンウエハの研磨方法
Abrégé
(EN) A polishing composition with which a native oxide deposit on a silicon wafer can be removed and silicon polishing can be efficiently conducted. The polishing composition comprises colloidal ceria and optionally contains an alkaline polishing composition. This composition may further contain a chelating agent. Also provided are: a polishing method comprising the step of removing an oxide deposit with colloidal ceria; a polishing method comprising the step of removing an oxide deposit with colloidal ceria and the subsequent step of polishing the silicon wafer with an alkaline polishing composition; and a polishing method comprising the step of polishing a silicon wafer with a polishing composition comprising colloidal ceria and an alkaline polishing composition. Furthermore provided is a polishing composition kit comprising colloidal ceria and an alkaline polishing composition.
(FR) La présente invention concerne une composition de polissage grâce à laquelle un dépôt d'oxyde naissant sur une galette de silicium peut être éliminé et le polissage de silicium peut être réalisé de manière efficace. La composition de polissage comprend un oxyde de cérium colloïdal et contient éventuellement une composition de polissage alcaline. Cette composition peut en outre contenir un agent de chélation. On propose en outre : un procédé de polissage comprenant l'étape consistant à éliminer un dépôt d'oxyde avec l'oxyde de cérium colloïdal ; un procédé de polissage comprenant l'étape consistant à éliminer un dépôt d'oxyde avec l'oxyde de cérium colloïdal et l'étape suivante consistant à polir la galette de silicium avec une composition de polissage alcaline ; et un procédé de polissage comprenant l'étape consistant à polir une galette de silicium avec une composition de polissage comprenant l'oxyde de cérium colloïdal et une composition de polissage alcaline. La présente invention concerne également un kit de composition de polissage comprenant l'oxyde de cérium colloïdal et une composition de polissage alcaline.
(JA)  本発明はシリコンウエハの自然酸化膜を除去し、シリコンの研磨を効率よく行うことができる、研磨組成物を提供する。本発明の研磨組成物は、コロイダルセリアと、またはアルカリ性研磨組成物を含む。この組成物は、キレート剤をさらに含むことができる。本発明は、コロイダルセリアで酸化膜を除去する工程を含む研磨方法、コロイダルセリアで酸化膜を除去する工程と、引き続きアルカリ性研磨組成物でシリコンウエハを研磨する工程を含む研磨方法、並びに、コロイダルセリアとアルカリ性研磨組成物を含む研磨組成物でシリコンウエハを研磨する工程を含む研磨方法を包含する。さらに、本発明は、コロイダルセリアとアルカリ性研磨組成物を含む研磨用組成物キットに関する。
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