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1. CN101454883 - Method of forming a transistor having gate protection and transistor formed according to the method

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[ ZH ]

权利要求书

1、一种微电子器件,包括:
晶体管栅极;
分别与所述栅极的第一侧和第二侧相邻的第一隔离物和第二隔离物;
与所述栅极下方相邻的扩散层;
与所述扩散层上方相邻并且与所述第一隔离物和第二隔离物相邻的接 触区;
与所述栅极上方相邻并且位于所述接触区之间的保护帽,所述保护帽 适于对所述器件进行保护,避免在所述栅极和所述接触区之间发生短路。

2、根据权利要求1所述的器件,其中所述保护帽包括氮化硅。

3、根据权利要求1所述的器件,其中所述保护帽基本设置在所述第一 和第二隔离物的横向外侧边界内。

4、根据权利要求3所述的器件,其中所述保护帽基本延伸到所述第一 和第二隔离物的所述横向外侧边界,并且与所述第一和第二隔离物上方相 邻。

5、根据权利要求3所述的器件,其中所述保护帽基本设置在所述栅极 的横向外侧边界内。

6、根据权利要求1所述的器件,其中所述接触区中的每一个包括与所 述扩散层上方相邻的自对准接触区、以及与所述自对准接触区上方相邻的 第一金属区,所述自对准接触区和所述第一金属区在其间限定了分界线。

7、根据权利要求1所述的器件,其中所述接触区中的每一个包括与所 述扩散层上方相邻的连续第一金属层。

8、一种微电子器件的制造方法,包括:
提供晶体管结构,所述晶体管结构包括晶体管栅极、与所述栅极下方 相邻的扩散层、与所述栅极的一侧相邻的第一隔离物以及与所述栅极的另 一侧相邻的第二隔离物;
提供与所述栅极上方相邻的保护帽;
提供与所述扩散层上方相邻的接触区,所述接触区包括与所述第一隔 离物和所述保护帽的一侧相邻的第一接触区、以及与所述第二隔离物和所 述保护帽的相对侧相邻的第二接触区。

9、根据权利要求8所述的方法,其中所述保护帽包括氮化硅。

10、根据权利要求8所述的方法,其中所述晶体管结构还包括包围所 述栅极、所述第一隔离物和所述第二隔离物的第一ILD层,并且其中提供 保护帽包括:
将牺牲帽提供到所述栅极上;
提供与所述第一ILD层上方相邻的包围所述牺牲帽的第二ILD层;
通过从所述第二ILD层去除所述牺牲帽而限定保护帽凹陷;
通过在所述保护帽凹陷中提供保护材料来形成保护帽体;
去除部分所述第二ILD层,以提供所述保护帽。

11、根据权利要求10所述的方法,其中所述牺牲帽包括金属材料,并 且其中提供所述牺牲帽包括通过将牺牲帽材料无电镀到所述栅极上而选择 性地沉积所述牺牲帽材料。

12、根据权利要求10所述的方法,其中提供所述牺牲帽包括通过将牺 牲帽材料碳纳米管沉积到所述栅极上而选择性地沉积所述牺牲帽材料。

13、根据权利要求8所述的方法,其中所述保护帽基本设置在所述第 一和第二隔离物的横向外侧边界内。

14、根据权利要求13所述的方法,其中所述保护帽基本延伸到所述第 一和第二隔离物的所述横向外侧边界,并且与所述第一和第二隔离物上方 相邻。

15、根据权利要求13所述的方法,其中所述保护帽基本设置在所述栅 极的横向外侧边界内。

16、根据权利要求10所述的方法,其中去除包括去除所述牺牲帽以限 定中间凹陷,限定所述保护帽凹陷还包括去除所述中间凹陷的壁的一部分。

17、根据权利要求10所述的方法,其中提供牺牲帽包括将牺牲帽材料 选择性地沉积到所述栅极上以形成牺牲中心体,并且在所述牺牲中心体的 每一侧上提供牺牲隔离物以形成所述牺牲帽。

18、根据权利要求17所述的方法,其中提供牺牲隔离物包括:
提供牺牲材料层以包围所述牺牲中心体,并且对所述牺牲材料层进行 各向异性蚀刻以获得所述牺牲隔离物。

19、根据权利要求10所述的方法,其中所述牺牲帽包括金属。

20、根据权利要求8所述的方法,其中所述保护帽包括氮化硅。

21、根据权利要求10所述的方法,其中去除所述牺牲帽包括蚀刻。

22、根据权利要求10所述的方法,其中,其中去除所述第二ILD层的 一部分包括蚀刻。

23、根据权利要求8所述的方法,其中提供接触区包括:
提供自对准接触区,其与所述扩散层上方相邻,并且包括与所述第一 隔离物相邻的第一自对准接触区和与所述第二隔离物相邻的第二自对准接 触区;以及
提供与相应的所述自对准接触区上方相邻的第一金属部分。

24、根据权利要求23所述的方法,其中提供自对准接触区包括:
将光刻胶构图到所述第二ILD层上;
将所述第一ILD层和所述第二ILD层蚀刻到所述扩散层,以限定包围 所述栅极、所述第一隔离物和所述第二隔离物的自对准接触凹陷;
在所述自对准接触凹陷内沉积接触金属,以限定所述自对准接触区。

25、根据权利要求23所述的方法,其中提供第一金属部分包括:
将第三ILD层沉积到所述自对准接触区上;
将光刻胶构图到所述第三ILD层上;
将所述第三ILD层蚀刻到所述自对准接触区,以在所述自对准接触区 上方限定金属线凹陷;
在相应的第一金属部分凹陷内提供第一金属部分,以限定所述第一金 属部分。

26、根据权利要求8所述的方法,其中提供接触区包括直接对与所述 扩散层上方相邻的第一金属部分进行构图。

27、根据权利要求26所述的方法,其中直接构图包括:
将第三ILD层沉积到所述第二ILD层上;
将光刻胶构图到所述第三ILD层上;
将所述第一ILD层、所述第二ILD层和所述第三ILD层蚀刻到所述扩 散层,以限定包围所述栅极、所述第一隔离物、所述第二隔离物和所述保 护帽的金属线凹陷;
在所述金属线凹陷内沉积接触金属,以限定所述接触区。

28、一种系统,包括:
微电子器件,其包括:
晶体管栅极;
分别与所述栅极的第一侧和第二侧相邻的第一隔离物和第二隔离 物;
与所述栅极下方相邻的扩散层;
接触区,其与所述扩散层上方相邻,并且包括与所述第一隔离物相 邻的第一接触区和与所述第二隔离物相邻接的第二接触区;
与所述栅极上方相邻并且与所述第一接触区和所述第二接触区相 邻的保护帽,所述保护帽适于对所述器件进行保护,避免在所述栅极和所 述接触区之间发生短路;以及
耦合到模块的图形处理器。

29、根据权利要求28所述的系统,其中所述保护帽包括氮化硅。

30、根据权利要求28所述的系统,其中所述保护帽基本设置在所述第 一和第二隔离物的横向外侧边界内。