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1. WO2003019625 - PROCEDE DE TRAITEMENT THERMIQUE D'UN SUBSTRAT PRESENTANT PLUSIEURS COUCHES

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[ DE ]

Patentansprüche

1. Verfahren zur thermischen Behandlung eines mehrere Schichten auf- weisenden Substrats, insbesondere eines Halbleiterwafers, bei dem eine von oben und unten abgedeckte Schicht des Substrats von dessen Seitenkante aus zur Mitte hin derart oxidiert wird, daß ein definierter Mittelbereich nicht oxidiert, wobei die folgenden Verfahrensschritte vorgesehen sind:
a) Erwärmen des Substrats in einer Prozeßkammer auf eine vorgegebene Behandlungstemperatur;
b) Einleiten eines wasserstoffreichen Wasserdampfes in die Prozeßkammer für eine vorgegebene Zeitdauer;
c) Einleiten von trockenem Sauerstoff, d.h. reinem Sauerstoff (in Form von atomarem O und/oder molekularem O2 und/oder O3), eine Mischung aus Sauerstoff und einem inerten Gas, das nicht mit den Schichten des Substrats chemisch reagiert, oder einer sauerstoffenthaltende Verbindungen, welche kein Wasser enthält, oder einem sauerstoffreichen Wasserdampf in die Prozeßkammer nach Ablauf der vorgegebenen Zeitdauer,
wobei Schritt b) vor, während und/oder nach dem Erwärmen des Substrats auf die vorgegebene Behandlungstemperatur erfolgen kann.

2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Schritten b) und c) ein weiteres Gas in die Prozeßkammer eingeleitet wird, um den wasserstoffreichen Wasserdampf aus der Prozeßkammer zu verdrängen.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Gas weder Wasserstoff noch Sauerstoff enthält.

4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Gas ein inertes Gas ist.

5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat auf eine Behandlungstemperatur zwischen 300 °C bis 700 °C erwärmt wird.

6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat einen Halbleiterwafer mit einer lll-V- Halbleiterstruktur, insbesondere einer AlGaAs-Struktur oder InAIAs- Struktur, aufweist.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die zu oxi- dierende Schicht eine Aluminium enthaltende Schicht ist.

8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, daß wenigstens einige der Vielzahl von Schichten einen

Kegelstumpf bilden.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Kegelstumpf rund ist.

10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die zu oxidierende Schicht im Bereich des Kegelstumpfes liegt.

11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, daß der nicht oxidierte Mittelbereich der einen Schicht eine Blende für einen Oberflächenemittierenden Halbleiterlaser mit vertikalem Resonator, der auch als Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) bezeichnet wird, bildet.

12. Verfahren nach Anspruch 11 , dadurch gekennzeichnet, daß die Blende rund ist.

13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat während der Schritte b) und c) auf der Behandlungstemperatur gehalten wird.

14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat direkt nach dem Schritt c) aus der Prozeßkammer entfernt wird.

15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, daß die Prozeßkammer bei Unterdruck betrieben wird.