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1. WO2020160851 - DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIFS ET SON PROCÉDÉ D'UTILISATION

Numéro de publication WO/2020/160851
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2020/050032
Date du dépôt international 02.01.2020
CIB
G03F 1/32 2012.1
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
26Masques à décalage de phase ; Substrats pour PSM; Leur préparation
32PSM atténués , p.ex. PSM ayant une partie à décalage de phase semi-transparente, PSM en demi-ton; Leur préparation
G03F 1/24 2012.1
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
22Masques ou masques vierges d'imagerie par rayonnement d'une longueur d'onde de 100 nm ou moins, p.ex. masques pour rayons X, masques en extrême ultra violet ; Leur préparation
24Masques en réflexion; Leur préparation
CPC
G03F 1/24
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultra-violet [EUV] masks; Preparation thereof
24Reflection masks; Preparation thereof
G03F 1/32
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion,; Preparation thereof
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
Déposants
  • ASML NETHERLANDS B.V. [NL]/[NL]
Inventeurs
  • VAN LARE, Marie-Claire
  • TIMMERMANS, Frank, Jan
  • WITTEBROOD, Friso
  • MC NAMARA, John, Martin
  • FINDERS, Jozef, Maria
Mandataires
  • SLENDERS, Petrus Johannes Waltherus
Données relatives à la priorité
19156029.107.02.2019EP
19174809.416.05.2019EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) A PATTERNING DEVICE AND METHOD OF USE THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIFS ET SON PROCÉDÉ D'UTILISATION
Abrégé
(EN)
An attenuated phase shift patterning device comprising a first component for reflecting radiation, and a second component for reflecting radiation with a different phase with respect to the radiation reflected from the first component, the second component covering at least a portion of the surface of the first component such that a pattern comprising at least one uncovered portion of the first component is formed for generating a patterned radiation beam in a lithographic apparatus in use, wherein the second component comprises a material having a refractive index with a real part (n) being less than 0.95 and an imaginary part (k) being less than 0.04.
(FR)
Un dispositif de formation de motifs à décalage de phase atténué comprend un premier composant pour réfléchir un rayonnement, et un second composant pour réfléchir un rayonnement avec une phase différente par rapport au rayonnement réfléchi par le premier composant, le second composant recouvrant au moins une partie de la surface du premier composant de sorte qu'un motif comprenant au moins une partie non couverte du premier composant est formé pour générer un faisceau de rayonnement à motif dans un appareil lithographique en utilisation, le second composant comprenant un matériau ayant un indice de réfraction avec une partie réelle (n) inférieure à 0,95 et une partie imaginaire (k) inférieure à 0,04.
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