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1. WO2003019625 - PROCEDE DE TRAITEMENT THERMIQUE D'UN SUBSTRAT PRESENTANT PLUSIEURS COUCHES

Numéro de publication WO/2003/019625
Date de publication 06.03.2003
N° de la demande internationale PCT/EP2002/008310
Date du dépôt international 26.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 21.03.2003
CIB
H01S 5/183 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
18Lasers à émission de surface
183ayant une cavité verticale
CPC
H01L 21/02178
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02172the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
02175characterised by the metal
02178the material containing aluminium, e.g. Al2O3
H01L 21/02244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
02227formation by a process other than a deposition process
0223formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
02244of a metallic layer
H01L 21/31683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
314Inorganic layers
316composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
3165formed by oxidation
31683of metallic layers, e.g. Al deposited on the body, e.g. formation of multi-layer insulating structures
H01L 21/324
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
H01S 5/18311
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
183having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
18308having a special structure for lateral current or light confinement
18311using selective oxidation
H01S 5/18352
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
183having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
18344characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
18352Mesa with inclined sidewall
Déposants
  • MATTSON THERMAL PRODUCTS GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • CHUNG, Hin, Yiu [DE]/[DE] (UsOnly)
  • ROTERS, Georg [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • CHUNG, Hin, Yiu
  • ROTERS, Georg
Données relatives à la priorité
101 40 791.220.08.2001DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUR THERMISCHEN BEHANDLUNG EINES MEHRERE SCHICHTEN AUFWEISENDEN SUBSTRATS
(EN) METHOD FOR THERMALLY TREATING A SUBSTRATE THAT COMPRISES SEVERAL LAYERS
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT THERMIQUE D'UN SUBSTRAT PRESENTANT PLUSIEURS COUCHES
Abrégé
(DE)
Um bei einer seitlich fortschreitenden Oxidation einer Schicht eines mehrschichtigen Substrats zu ermöglichen, dass das Fortschreiten der seitlichen Oxidation an einem bestimmten Punkt gestoppt wird, ist gemäß der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur thermischen Behandlung eines mehrere Schichten aufweisenden Substrats, insbesondere eines Halbleiterwafers, vorgesehen, bei dem eine von oben und unten abgedeckte Schicht des Substrats von dessen Seitenkante aus zur Mitte hin derart oxidiert wird, dass ein definierter Mittelbereich nicht oxidiert. Das Verfahren beinhaltet erfindungsgemäss die folgenden Verfahrensschritte: Erwärmen des Substrats in einer Prozesskammer auf eine vorgegebene Behandlungstemperatur; Einleiten eines wasserstoffreichen Wasserdampfes in die Prozesskammer für eine vorgegebene Zeitdauer; und Einleiten von trockenem Sauerstoff oder einem sauerstoffreichen Wasserdampf in die Prozesskammer nach Ablauf der vorgegebenen Zeitdauer, wobei das Einleiten des wasserstoffreichen Wasserdampfes in die Prozesskammer vor, während und/oder nach dem Erwärmen des Substrats erfolgen kann.
(EN)
The aim of the invention is to stop the progression of a lateral oxidation of a layer of a multi-layer substrate at a defined point. To achieve this aim, the invention provides a method for thermally treating a substrate that comprises several layers, especially a semiconductor wafer, according to which a substrate layer that is covered from above and from below is oxidized from the lateral edges thereof to the center in such a manner that a defined center portion is not oxidized. The inventive method comprises the following steps: heating the substrate in a process chamber to a defined treatment temperature; introducing a hydrogen-rich water vapor into the process chamber for a defined period of time; and introducing dry oxygen or an oxygen-rich water vapor into the process chamber once the defined period of time has expired. The hydrogen-rich water vapor can be introduced into the process chamber either before, during and/or after the substrate is heated.
(FR)
L'invention vise à stopper en un point précis la progression de l'oxydation latérale sur une couche d'un substrat multicouches à oxydation progressive latérale. A cet effet, l'invention concerne un procédé de traitement thermique d'un substrat présentant plusieurs couches, notamment d'une plaquette de silicium à semi-conducteurs. Selon ce procédé, une couche du substrat couverte en haut et en bas est soumise à oxydation à partir de ses bords latéraux vers son centre de sorte qu'une zone médiane définie n'est pas oxydée. Ledit procédé comprend les opérations suivantes : chauffer le substrat dans une chambre de traitement à une température de traitement donnée ; introduire dans la chambre de traitement une vapeur d'eau riche en hydrogène pour une durée déterminée ; introduire dans la chambre de traitement de l'oxygène sec ou une vapeur d'eau riche en oxygène après écoulement de ladite durée déterminée, la vapeur d'eau riche en hydrogène pouvant être introduite dans la chambre de traitement avant, pendant et/ou après le réchauffement du substrat .
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international