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1. (WO2018090001) PROCÉDÉ DE FORMATION D'ENTRETOISE DE GRILLE DESTINÉ À UN DISPOSITIF FET À NANOFIL

Pub. No.:    WO/2018/090001    International Application No.:    PCT/US2017/061539
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Nov 15 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/423
H01L 29/66
H01L 29/06
H01L 29/78
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED
SMITH, Jeffrey
DEVILLIERS, Anton
Inventors: SMITH, Jeffrey
DEVILLIERS, Anton
Title: PROCÉDÉ DE FORMATION D'ENTRETOISE DE GRILLE DESTINÉ À UN DISPOSITIF FET À NANOFIL
Abstract:
L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif à semi-conducteur à grille tout autour, consistant à fournir un substrat sur lequel a été appliquée une structure d'ailette en couches. La structure d'ailette en couches comprend une partie canal et une partie sacrificielle s'étendant chacune le long d'une longueur de la structure d'ailette en couches, la structure d'ailette en couches étant recouverte d'un matériau de grille de remplacement. Une grille factice est formée sur le matériau de grille de remplacement sur la structure d'ailette en couches, la grille factice ayant une dimension critique qui s'étend le long de la longueur de la structure d'ailette en couches. Le procédé comprend en outre la formation d'une structure de grille directement sous la grille factice, la structure de grille comprenant une région de grille métallique et des entretoises de grille disposées sur des côtés opposés de la région de grille métallique, une dimension critique totale de la structure de grille étant égale à la dimension critique de la grille factice.