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1. WO2020161814 - ÉLÉMENT DE ROTATION DE MAGNÉTISATION DE TYPE À COUPLAGE SPIN-ORBITE, ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF DE TYPE À COUPLAGE SPIN-ORBITE ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE

Numéro de publication WO/2020/161814
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/004180
Date du dépôt international 06.02.2019
CIB
H01L 29/82 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
82commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H01F 10/30 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
26caractérisées par le substrat ou par les couches intermédiaires
30caractérisées par la composition des couches intermédiaires
H01L 21/8239 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
H01L 27/105 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
H01L 43/08 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
CPC
H01F 10/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
26characterised by the substrate or intermediate layers
30characterised by the composition of the intermediate layers ; , e.g. seed, buffer, template, diffusion preventing, cap layers
H01L 21/8239
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
8239Memory structures
H01L 27/105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
H01L 29/82
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
82controllable by variation of the magnetic field applied to the device
H01L 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
Déposants
  • TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 塩川 陽平 SHIOKAWA Yohei
Mandataires
  • 棚井 澄雄 TANAI Sumio
  • 荒 則彦 ARA Norihiko
  • 飯田 雅人 IIDA Masato
  • 荻野 彰広 OGINO Akihiro
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SPIN-ORBIT TORQUE-TYPE MAGNETIZATION ROTATING ELEMENT, SPIN-ORBIT TORQUE-TYPE MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT DE ROTATION DE MAGNÉTISATION DE TYPE À COUPLAGE SPIN-ORBITE, ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF DE TYPE À COUPLAGE SPIN-ORBITE ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
Abrégé
(EN)
This spin-orbit torque-type magnetization rotating element (100) of the present application comprises: a first ferromagnetic layer (10); and a spin-orbit torque wiring (20) facing the first ferromagnetic layer and extending in a first direction (X). The spin-orbit torque wiring has a plurality of atomic planes (L) in which atoms (A) are arranged, and the plurality of atomic planes have reference surfaces (L1) in which the same atoms are arranged, and a buckling surface (L2) having a buckling part (BP). The buckling surface has a plurality of first atoms (A1) forming a main surface (MP) substantially parallel to the reference surfaces and one or more second atoms (A2) forming a buckling part bent toward the main surface.
(FR)
Cet élément de rotation de magnétisation de type à couplage spin-orbite (100) de la présente invention comprend : une première couche ferromagnétique (10) ; et un câblage à couplage spin-orbite (20) faisant face à la première couche ferromagnétique et s'étendant dans une première direction (X). Le câblage à couplage spin-orbite a une pluralité de plans atomiques (L) dans lesquels des atomes (A) sont disposés, et la pluralité de plans atomiques ont des surfaces de référence (L1) dans lesquelles ces mêmes atomes sont disposés, et une surface de voilement (L2) ayant une partie de voilement (BP). La surface de voilement a une pluralité de premiers atomes (A1) formant une surface principale (MP) sensiblement parallèle aux surfaces de référence et un ou plusieurs seconds atomes (A2) formant une partie de voilement courbée vers la surface principale.
(JA)
本願のスピン軌道トルク型磁化回転素子(100)は、第1強磁性層(10)と、前記第1強磁性層に面し、第1方向(X)に延びるスピン軌道トルク配線(20)と、を備え、前記スピン軌道トルク配線は、原子(A)が配列した原子面(L)を複数有し、前記複数の原子面は、同一原子が配列した基準面(L1)と、座屈部(BP)を有する座屈面(L2)と、を有し、前記座屈面は、前記基準面と略平行な主面(MP)を形成する複数の第1原子(A1)と前記主面に対して屈曲した座屈部を形成する1つ以上の第2原子(A2)と、を有する。
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