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1. (WO2014179674) APPAREIL ET TECHNIQUES DE COMMANDE DE L'UNIFORMITÉ D'UNE IMPLANTATION IONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/179674    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/036551
Date de publication : 06.11.2014 Date de dépôt international : 02.05.2014
CIB :
H01J 37/304 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Inventeurs : TODOROV, Stanislav, S.; (US).
GAMMEL, George, M.; (US).
SPRENKLE, Richard, Allen; (US).
HUSSEY, Norman, E.; (US).
SINCLAIR, Frank; (US).
CHANG, Shengwu; (US).
OLSON, Joseph, C.; (US).
TIMBERLAKE, David, Roger; (US).
DECKER-LUCKE, Kurt, T.; (US)
Mandataire : DAISAK, Daniel, N.; Kacvinsky Daisak Bluni PLLC 3120 Princeton Pike Suite 303 Lawrenceville, NJ 08648 (US)
Données relatives à la priorité :
61/819,080 03.05.2013 US
14/037,218 25.09.2013 US
Titre (EN) APPARATUS AND TECHNIQUES FOR CONTROLLING ION IMPLANTATION UNIFORMITY
(FR) APPAREIL ET TECHNIQUES DE COMMANDE DE L'UNIFORMITÉ D'UNE IMPLANTATION IONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A system to control an ion beam in an ion implanter includes a detector to perform a plurality of beam current measurements of the ion beam along a first direction perpendicular to a direction of propagation of the ion beam. The system also includes an analysis component to determine a beam current profile based upon the plurality of beam current measurements, the beam current profile comprising a variation of beam current along the first direction; and an adjustment component to adjust a height of the ion beam along the first direction when the beam current profile indicates the beam height is below a threshold.
(FR)L'invention porte sur un système qui permet de commander un faisceau d'ions dans un dispositif d'implantation ionique et qui comprend un détecteur pour effectuer une pluralité de mesures de courant de faisceau du faisceau ionique dans une première direction, perpendiculaire à une direction de propagation du faisceau ionique. Le système comprend également un composant d'analyse afin de déterminer un profil de courant de faisceau sur la base de la pluralité de mesures de courant de faisceau, le profil de courant de faisceau comportant une variation de courant de faisceau dans la première direction ; un composant de réglage afin de régler une hauteur du faisceau ionique dans la première direction lorsque le profil de courant de faisceau indique que la hauteur de faisceau est au-dessous d'un seuil.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)