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1. WO2008002947 - PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN TRANSISTOR AYANT UNE PROTECTION DE GRILLE ET TRANSISTOR FORMÉ EN FONCTION DU PROCÉDÉ

US20080001236Method of forming a transistor having gate protection and transistor formed according to the method
Appl.Date 28.06.2006
N° de demande 11478251 Déposant Intel Corporation Related Type IC5
Priorité unique au sein de la famille.
Type de publication A1,B2 Langue de publication en
Date de publication 03.01.2008
CN101454883 Method of forming a transistor having gate protection and transistor formed according to the method
Appl.Date 26.06.2007
N° de demande 200780019516.9 Déposant Intel Corp. Related Type IC2
Ouverture de la phase nationale d'une demande PCT.

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Type de publication A Langue de publication zh
Date de publication 10.06.2009
DE112007001522Verfahren zum Ausbilden eines Mikroelektronikbauelements in Form eines Transistors und ein gemäß dem Verfahren ausgebildeter Transistor
Appl.Date 26.06.2007
N° de demande 112007001522 Déposant Intel Corporation Related Type IC2
Ouverture de la phase nationale d'une demande PCT.

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Type de publication B4,T
Date de publication 26.01.2012
WO/2008/002947METHOD OF FORMING A TRANSISTOR HAVING GATE PROTECTION AND TRANSISTOR FORMED ACCORDING TO THE METHOD
Appl.Date 26.06.2007
N° de demande PCT/US2007/072167 Déposant CHANGE, Peter, L., D. Related Type IC1
Demande PCT à l'origine de la famille.
Type de publication A Langue de publication en
Date de publication 03.01.2008
US20090101992Method of forming a transistor having gate protection and transistor formed according to the method
Appl.Date 16.12.2008
N° de demande 12316833 Déposant Intel Corporation Related Type IC2
Ouverture de la phase nationale d'une demande PCT.

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Type de publication A1,B2 Langue de publication en
Date de publication 23.04.2009