Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le mardi 27.07.2021 à 12:00 PM CEST
Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. EP0454860 - CAPTEUR DE POTENTIEL UTILISANT UN CRISTAL ELECTRO-OPTIQUE ET PROCEDE DE MESURE DE POTENTIEL.

Office
Office européen des brevets (OEB)
Numéro de la demande 90916382
Date de la demande 13.11.1990
Numéro de publication 0454860
Date de publication 06.11.1991
Type de publication B1
CIB
G02F 1/015
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
015basés sur des éléments à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel, p.ex. jonction PN, PIN
G01R 15/24
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
15Détails des dispositions pour procéder aux mesures des types prévus dans les groupes G01R17/-G01R29/, G01R33/-G01R33/26191
14Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort
24utilisant des dispositifs modulateurs de lumière
G01R 1/07
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
1Détails ou dispositions des appareils des types couverts par les groupes G01R5/-G01R13/125
02Éléments structurels généraux
06Conducteurs de mesure; Sondes de mesure
067Sondes de mesure
07Sondes n'établissant pas de contact
G01R 15/24
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
15Détails des dispositions pour procéder aux mesures des types prévus dans les groupes G01R17/-G01R29/, G01R33/-G01R33/26191
14Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort
24utilisant des dispositifs modulateurs de lumière
G01R 19/00
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
19Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
G02F 1/03
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
03basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p.ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
CPC
G01R 1/071
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
1Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
02General constructional details
06Measuring leads; Measuring probes
067Measuring probes
07Non-contact-making probes
071containing electro-optic elements
G01R 15/242
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
15Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00 and G01R33/00 - G01R35/00
14Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
24using light-modulating devices
241using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption
242based on the Pockels effect, i.e. linear electro-optic effect
Déposants DAINIPPON PRINTING CO LTD
Inventeurs TAKANO ATSUSHI DAI NIPPON PRIN
UTSUMI MINORU DAI NIPPON PRINT
OBATA HIROYUKI DAI NIPPON PRIN
Données relatives à la priorité 1989294367 13.11.1989 JP
9001466 13.11.1990 JP
Titre
(DE) SPANNUNGSFÜHLER MIT ELEKTROOPTISCHEM KRISTALL SOWIE VERFAHREN ZUR SPANNUNGSMESSUNG.
(EN) POTENTIAL SENSOR USING ELECTRO-OPTICAL CRYSTAL AND METHOD OF MEASURING POTENTIAL.
(FR) CAPTEUR DE POTENTIEL UTILISANT UN CRISTAL ELECTRO-OPTIQUE ET PROCEDE DE MESURE DE POTENTIEL.
Abrégé
(EN)
A potential sensor comprises an electro-optical crystal which is constituted by epitaxially growing a high-resistance cpds. semiconductor on a low-resistance cpd. semiconductor. The electro-optical crystal has a large band-gap in both the low-resistance cpd. and the high-resistance cpd. cemiconductors. In the electro-optical crystal a reflecting dielectric film is formed on the high-resistance cpd. semiconductor. The electric potential of a sample is measured as follows. A sample is placed in close contact with the sensor and the low resistance cpd. semiconductor base is earthed. The sample-sensor system is irradiated with polarised light. A change is detected in the degree of polarisation of the polarised light. The low resistance cpd. semiconductor should not absorb the probe light; hence its band gap must be large. The value of the lattice const and the thermal expansion coeft. of the low and high resistance cpd. semiconductors are close to each other. The resistivity of the low resistance cpd. semiconductor is pref. 10 ohm or less since it functions also as an electrode. The high resistance cpd. should have a high electro-optic const, a large band gap and a resistivity of 10 power 5 ohms cm or higher. The wavelength of the probe light is preferably as short as possible since the change of retardation becomes more noticeable of short wavelengths.